【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种可变增益放大器,属于模拟信号处理和通信
技术介绍
在数模混合集成电路系统中,处理模拟信号时需要对输入信号进行放大和衰减,可变增益放大器是实现这一功能的重要模块。可变增益放大器的增益可以随控制信号变化,广泛应用在磁盘读取驱动电路、磁盘数据存储系统、电视调谐器、电磁计量器、高频滤波器、医疗电子设备等方面,在无线通信和收发系统中,也起着重要的作用。CMOS电路具有功耗小、成本低、易与数字电路集成的特点。随着CMOS工艺的不断发展,以及市场对低成本、高性能、高集成的单芯片系统的需求,使得可变增益放大器的设计和开发也需要采用CMOS工艺。可见,实现高性能的CMOS可变增益放大器具有 重要的现实意义。中国专利CN1758533A中,描述了一种CMOS工艺可变增益放大器的方法和电路。其核心增益调节单元是采用MOS管和电阻,MOS管作为开关管,控制偏置电压控制MOS管被导通或断开,从而增益调节单元接入的电阻个数不同,实现增益可变。因为电阻个数是整数,所以其实现增益的变化是阶跃式的,而不是连续型的,并且可变增益达到一定精度所需要的电阻个数比较庞大,降低 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可变增益放大,由折叠式共源共栅结构、增益调节单元、电流镜、负载电阻、电流源以及控制电压转换电路组成,其特征在于 所述的折叠式共源共栅结构管由第一 NMOS晶体管(M1),第MOS晶体管(M2),第三NMOS晶体管(M3)和第四NMOS晶体管(M4)组成,其中Ml和M2构成折叠式共源共栅的共源输入对管,M3和M4构成折叠式共源共栅结构的共栅对管,将输入差分电压信号转换成差分电流信号; 所述的增益调节单元,由第五NMOS晶体管(M5),第六NMOS晶体管(M6)和第七NMOS晶体管(M7)组成,作为电流开关; 所述的电流镜,由M8,M9,M10, Mil, M12和M13构成的电流镜,实现电流镜像; 所述的负载电阻R1,在负载电阻Rl两端上产生差分输出电压(VoutruVoutp); 所述的电流源,由第一电流源(II),第二电流源(12),第三电流源(13)和电流源(14)组成,给折叠式共源共栅结构和电流镜提供静态工作电流; 所述的控制电压转换电路,以输入控制电压(VCTR)产生不同旳增益调节单元中的控制电压(Vctr),分别决定着所述的不同电流开关管的开启程度,实现增益改变; 电路之间的关系是输入信号(vinp、vinn)经过折叠式共源共栅结构转变成电流信号,由控制电压(VCTR)控制的增益调节单元调节上述电流信号,实现电流信号的改变,再有电流镜镜像输出给负载电阻(R1),转换成输出电压信号(Voutn。Voutp),实现可变增益放大。2.根据权利要求I所述种可变增益放大器,其特征在于控制电压转换电路中包含有PMOS晶体管、NMOS晶体管和电阻R,在输入控制电压(VCTR)的作用下产生不同旳增益调节单元中的控制电压(Vctr),控制电压转换电路转换出的增益调节单元中的控制电压至少为一条。3.根据权利要求2所...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴霜毅,王成碧,宁宁,赵思源,陈荣冠,胡勇,李天柱,眭志凌,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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