本发明专利技术公开了一种由两种光子晶体叠加构成的近紫外至近红外光波段全角度反射器，其结构为[A/B]m[C/D]n，两种光子晶体的晶格常数相同，均为d=160nm，其中A、C的介电常数为1.96，B、D的介电常数为16，A、B、C、D的厚度分别为d1=0.76d、d2=0.24d、d3=0.5d、d4=0.5d，m、n为两种光子晶体的周期数，均取9。本发明专利技术可实现近紫外至近红外光波段的全角度反射，且反射率高达99%以上。当光线正入射时，禁带范围为375nm～1189nm，当光线以0°至85°角入射时，禁带范围始终可覆盖近紫外至近红外波段（375nm～893nm）。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种光子晶体反射器，特别是涉及ー种可以在近紫外至近红外光波段全角度反射的光子晶体反射器。
技术介绍
光子晶体作为ー种新型的人造光电功能材料，因其良好的光学性质而备受关注。光子晶体是一种介电材料在空间中呈周期分布形成的人工晶体，其重要特点是可以形成光子禁带，落在禁带频率范围内的光波在晶体中将不能传播，利用这ー特性可利用光子晶体制作反射器。光子晶体所用材料多为低吸收系数的介电材料，因此反射率较高，可达99%以上。而ー维光子晶体较ニ維和三维光子晶体结构简单、更易于制备。R. Jomtarak 等(Geometrically Distributed ID photonic Crystals for Light-reflection in All Angles, Procedia Engineering. 2012, Vol:32, 455-460)提到使用多层晶体级联的方法获得全角度反射器，但所获得的禁带范围较窄。A. Mouldi 等(Design of an omnidirectional mirror using one dimensionalphotonic crystal with graded geometric layers thicknesses, Optik. 2012,Vol :123, 125-131)提到使用材料厚度渐变的方法获得较宽禁带，但所得到的禁带宽度仍未覆盖紫外至近红外光波段，不能用于紫外至近红外光波段的全角度反射器。韩培德等(Omni-directionalmirror for visible light basea onone-dimensional photonic crystal, Chinese Optics Letters. 2011， Vol:9,071603-071603)提出使用4种晶体相叠加，可以获得可见光波段全角度反射器，但禁带仍不能覆盖近紫外至近红外光波段，且这种方法所需晶体周期数较多，结构较为复杂。201210139917. O专利申请提供了一种基于光子晶体的全可见光波段全角度反射器，该反射器使用氟化锂、锗构造复合结构的ー维光子晶体[A/B]m[C/D]n，但其工作范围仅覆盖全可见光波段，未能在全角度范围内覆盖近紫外波段至近红外光波段。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基于光子晶体的近紫外至近红外光波段全角度反射器，该反射器当光线以0°至85°角入射时，始終可实现近紫外至近红外光波段的高反射。本专利技术采用频域叠加原理，即将具有不同频段禁带范围的光子晶体相叠加，以形成超宽禁帯，实现近紫外至近红外光波段全角度反射器。本专利技术基于光子晶体的近紫外至近红外光波段全角度反射器由两种光子晶体叠加构成，每种光子晶体均由两种不同的介电材料按照相同的周期交替排列而成，反射器的结构为[A/B]m[C/D]n，其中 所述的第一光子晶体中，材料A的介电常数I. 96，材料B的介电常数16，光子晶体的晶格常数i/=160nm，单个周期内A的宽度J1=O. l&d, B的宽度i/2=0. 2Ad ； 所述的第二光子晶体中，材料C的介电常数I. 96，材料D的介电常数16，光子晶体的晶格常数i/=160nm，单个周期内C的宽度i/3=0. hd, D的宽度 /4=0. 5 /。本专利技术发现，当选择的周期数m=n=9时，可在近紫外至近红外光波段实现较好的反射特性，反射率达到99%以上。本专利技术中，用于构造反射器的介电材料A和C选择氟化锂，B和D选择锗。但是，用于构建本专利技术反射器的介电材料并不局限于氟化锂和锗，凡是介电常数与其相等或接近的其他各类材料，均可以用于构建本专利技术反射器。本专利技术基于光子晶体的近紫外至近红外光波段全角度反射器的制备可以采用常规磁控溅射镀膜的方法，在光学基板上依次镀周期数为m的[A/B]mg体和周期数为η的[C/D]n晶体。本专利技术基于光子晶体的近紫外至近红外光波段全角度反射器结构简单，易于制备，可以实现近紫外至近红外光波段的全角度反射，且反射率可以达到99%以上。附图说明图I为本专利技术基于光子晶体的近紫外至近红外光波段全角度反射器的结构示意图。图中，[A/BL*第一光子晶体的结构，A、B为两种不同的介电材料，厚度分别为d2 ； [C/D]n为第二光子晶体的结构，C、D为两种不同的介电材料，厚度分别为‘式。图2为第一光子晶体[A/BL的结构示意图。图3为第一光子晶体[A/B]m的能带特性图。其禁带归一化频率范围为O. 1682 O. 3255，禁带波长范围为491nm 951nm (青绿色光至近红外波段)。图4为当光线正入射，即入射角度为0°吋，晶体结构[A/B]m 9的反射谱。反射率大于99%的禁带范围为494nm 953nm (青绿色光至近红外波段)。图5为第二光子晶体[C/D]n的结构示意图。图6为第二光子晶体[C/D]n的能带特性图。其禁带归一化频率范围为O. 3138 O.4286和O. 1342 O. 2209，对应禁带波长范围为373nm 509nm (近紫外至绿色光波段)和724nm 1192nm (红色光至近红外波段)。图7为当光线正入射，即入射角度为0°吋，晶体结构[C/D]9的反射谱。反射率大于99. 9%的禁带波长范围为376nm 5IOnm (近紫外至绿色光波段)和734nm 1190nm (红色光至近红外波段)。图8为当入射角度为0°吋，晶体结构为[A/B]9[C/D]9的反射谱。反射率大于99%的禁带范围为375nm 1189nm (近紫外至近红外波段)。图9为当入射角度为15°吋，晶体结构为[A/B]9[C/D]9的反射谱。反射率大于99%的禁带范围为374nm 1173nm (近紫外至近红外波段)。图10为当入射角度为30°吋，晶体结构为[A/B]9[C/D]9的反射谱。反射率大于99%的禁带范围为372nm 1128nm (近紫外至近红外波段)。图11为当入射角度为45°吋，晶体结构为[A/B]9[C/D]9的反射谱。反射率大于 99%的禁带范围为366nm 1063nm (近紫外至近红外波段)。图12为当入射角度为60°吋，晶体结构为[A/B]9[C/D]9的反射谱。反射率大于99%的禁带范围为362nm 989nm (近紫外至近红外波段)。图13为当入射角度为75°吋，晶体结构为[A/B]9[C/D]9的反射谱。反射率大于99. 9%的禁带范围为359nm 920nm (近紫外至近红外波段)。图14为当入射角度为85°吋，晶体结构为[A/B]9[C/D]9的反射谱。反射率大于99%的禁带范围为356nm 893nm (近紫外至近红光波段)。图15为201210139917. O专利申请中禁带随光线入射角度的曲线，横坐标为光线入射角度，纵坐标为光波波长，线〈1>为禁带上限随光线入射角度的变化趋势，线〈4>为禁带下限随随光线入射角度的变化趋势，线〈2>和线〈3>之间部分为随光线入射角度的増大而出现的一条导带。图16为本专利技术中禁带随光线入射角度的曲线，横坐标为光线入射角度，纵坐标为光波波长，线〈1>为禁带上限随光线入射角度的变化趋势，线〈2>为禁带下限随光线入射角度的变化本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于光子晶体的近紫外至近红外光波段全角度反射器，由结构为[A/B] ^P[C/D]J3两种光子晶体叠加构成，反射器的结构为[A/B]m[C/D]n，其中， 所述的第一光子晶体[A/BL中，材料A的介电常数I. 96，材料B的介电常数16，光子晶体的晶格常数t/=160nm，单个周期内A的宽度J1=O. l&d, B的宽度J2=O. 247，周期数m取9 ; 所述的第二光子晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：田东康，费宏明，杨毅彪，薛保平，韩昌盛，李祥霞，马瑞霞，
申请(专利权)人：太原理工大学，
类型：发明
国别省市：
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