【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶片制造エ艺方法,具体涉及ー种碲镉汞垂直液相外延生长背面残液的去除エ艺处理方法。
技术介绍
对于液相外延生长方式制备的红外締镉萊材料而言,通常在締锌镉衬底上生长一层10-20微米的碲镉汞外延层。但在实际生长中,无论垂直浸溃式生长还是水平推舟式生长都会或多或少的产生一定量的残液,残液问题也是长期以来影响着碲镉汞材料使用面积和质量的因素之一。由于生长残液为硬度接近于硅材料的非晶体用普通的抛光方式很难去除,且残液不透光不能进行光谱的测算,更不能在有残液的材料上进行器件的制作。因此,残液问题长期以来严重影响了液相外延碲镉汞材料的成品率。 通常来说水平推舟所形成的残液以样片表面四周残液为主,此类残液可以通过切除四周的办法来解決。但垂直浸溃式外延的生长方式所形成的外延则主要由背面残液为主,且常常形成正整个背面全粘的情況。此类残液想要去除即要保证外延薄膜表面的碲镉汞外延层不受破坏,又要保证残液层完全去除,因此在实际操作中具有相当的难度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除处理方法,此方法解决了液相外延薄膜制备中背面所粘残留物质所导致成品率降低的问题。本エ艺处理方法步骤如下I)在100级洁净室中,对外延薄膜表面用薄胶进行光刻胶匀胶保护并进行切割,将外延薄膜样品表面四周残液切除;2)选取ー块洁净的玻璃圆盘放置在可调温电炉上,温度调至80摄氏度。待玻璃盘升温后在其正中央区域涂上ー块5厘米乘以5厘米的蜡,随后将外延薄膜样品有残液的面向上,水平放置于玻璃圆盘上蜡已融化的区域中,贴片完成后取下玻璃盘放置在易导热散热处,待蜡完全 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法,其特征在于包括以下步骤 1)在100级洁净室中,对外延薄膜表面用薄胶进行光刻胶匀胶保护并进行切割,将外延薄膜样品表面四周残液切除; 2)选取一块洁净的玻璃圆盘放置在可调温电炉上,温度调至80摄氏度。待玻璃盘升温后在其正中央区域涂上一块5厘米乘以5厘米的蜡,随后将外延薄膜样品有残液的面向上,水平放置于玻璃圆盘上蜡已融化的区域中,贴片完成后取下玻璃盘放置在易导热散热处,待蜡完全凝结后用刀片沿着外延薄膜边缘小心得将四周的蜡刮去; 3)先用三氯乙烯冲洗玻璃盘表面,以去除残...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙瑞贇,杨建荣,魏彦锋,张传杰,孙权志,陈倩男,张娟,陈晓静,
申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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