一种对Nandflash指令执行进行编程的Nandflash控制器，由微控制器、系统接口控制器、系统端DMA控制器、系统存储器访问仲裁逻辑单元、系统存储器、Nandflash?DMA控制器、Nandflash指令执行控制逻辑单元、Nandflash数据缓存区以及Nandflash接口控制器构成。采用在系统硬件中增加Nandflash指令执行控制逻辑单元的方式，由Nandflash指令执行控制逻辑单元按照预先设定的顺序控制指令执行，无须电路中微控制器的参与，能够提高指令执行的效率，满足应用需求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种Nandflas h控制器,尤其涉及一种可对Nandflash指令执行进行编程的Nandflash控制器。
技术介绍
Nandflash技术在近几年里得到了突飞猛进的发展，由I位/单元的SLC技术发展到了 2位/单元甚至3位/单元的MLC技术，同时Nandflash的生产工艺也得到不断地进步。随着技术的发展，Nandflash的容量不断增大，单位容量的成本也大幅降低，因此应用Nandflash的领域也越来越多。Nandflash应用的扩展，Nandflash的指令越来越多，Nandflash控制器的设计越来越复杂，Nandflash指令也很会根据应用继续增加。现有的NandfIash控制器尽可能的支持已有的所有Nandflash指令，但对于后续会出现的指令却无法实现支持，这在一定程度上会限制Nandflash控制器的适应范围。如何设计一种Nandflash控制器,能在应用中克服硬件逻辑执行Nandflash指令向下兼容性不足的情形，同时能够克服软件执行Nandflash指令时效率不高的情形,成为本专利技术所要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术目的提供一种对Nandflash指令执行进行编程的Nandflash控制器,采用在系统硬件中增加Nandflash指令执行控制逻辑单元的方式，由Nandflash指令执行控制逻辑单元按照预先设定的顺序控制执行，无须电路中微控制器的参与，能够提高指令执行的效率，满足应用需求。一种对Nandflash指令执行进行编程的Nandf Iash控制器，由微控制器、系统接口控制器、系统端DMA控制器、系统存储器访问仲裁逻辑单元、系统存储器、Nandflash DMA控制器、Nandflash指令执行控制逻辑单元、Nandflash数据缓存区以及Nandflash接口控制器构成。微控制器，电路的主控制单元，实现整个电路单元控制；系统接口控制器，用于以某种特定协议(如IDE、USB、SATA和PCIE等)和主控端进行数据传输，主控端包含但不限于SATA、USB、PCIE、PATA ；系统端DMA控制器，用于系统接口控制器和系统存储器之间的数据传输；系统存储器访问仲裁逻辑单元，用于仲裁微控制器、系统接口控制器和Nandflash控制器对系统存储器的访问请求；系统存储器，用于暂存存系统端和Nandflash控制器间传输的数据，也用于存放当前数据读写所使用的地址映射表；Nandflash DMA 控制器，Nandflash Direct Memory Access 控制器，用于控制Nandflash接口控制器与系统存储器之间的数据传输；Nandflash指令执行控制逻辑单元，用于根据Nandflash指令信息控制Nandflash指令的执行；Nandflash数据缓存区，用于缓存从系统存储器读出但来不及写入Nandflash存储器的数据，也用于缓存从Nandflash存储器读出但来不及写入系统存储器的数据；Nandflash接口控制器,用于控制和Nandflash存储器阵列之间的数据传输。本专利技术在系统硬件中增加Nandflash指令执行控制逻辑单元，在系统接收到访问Nandflash的请求时,系统将访问请求拆分成Nandflash的指令,然后将NandfIash的指令及其执行过程写入Nandflash指令执行控制逻辑单元配置寄存器并通知Nandflash指令执行控制逻辑单元开始执行Nandflash的指令。Nandflash指令执行控制逻辑单元将指令发送给Nandflash后,待Nandflash准备好接收数据或者发送数据以后,启动Nandflash DMA控制器向Nandflash写入数据或者从Nandflash读出数据。Nandflash指令的整个执行过程由Nandflash指令执行控制逻辑单元按照预先设定的顺序控制执行，无须微控制器的参与。相对于微控制器，Nandflash指令执行控制逻辑单元可以更高效快速地执行Nandflash指令。通过本专利技术，能有效减少为微控制器对Nandflash控制器的操作控制，既克服了硬件逻辑执行Nandflash指令向下兼容性不足的问题，也克服了系统软件在执行Nandflash指令执行效率不高的问题。附图说明图I本专利技术提供的Nandflash控制器电路结构图具体实施方案以下结合附图对本专利技术提出的
技术实现思路
进行详细的描述，图I给出了本专利技术所述Nandflash控制电路结构。 在系统接收到访问Nandflash存储器的请求时，系统将访问请求拆分成Nandflash指令,然后将Nandflash的指令及其执行过程写入Nandflash存储器指令执行控制逻辑单元并通知Nandflash指令执行控制逻辑单元开始执行Nandflash的指令。Nandflash指令的执行都是由发送命令、发送地址、读取数据、发送数据、等待Nandflash就绪、读取Nandflash状态等阶段中的几个阶段构成。Nandflash的执行过程就是对以上阶段的一个排序过程。Nandflash存储器执行阶段的编码如表I中所示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种对Nandflash指令执行进行编程的Nandflash控制器，由微控制器、系统接口控制器、系统端DMA控制器、系统存储器访问仲裁逻辑单元、系统存储器、Nandflash DMA控制器、Nandflash指令执行控制逻辑单元、Nandflash数据缓存区以及Nandflash接口控制器构成，其特征在于所述Nandflash指令执行控制逻辑单元控制系统Nandflash指令执行。2.如权利要求I所述的一种对Nandflash指令执行进行编程的Nandflash控制器,其特征在于所述Nandflash指令执行控制 逻辑单元配置寄存器为系统软件和硬件交互接口。3.如权利要求I所...
【专利技术属性】
技术研发人员：迟志刚，
申请(专利权)人：上海华虹集成电路有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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