【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于LED光源领域,特别涉及一种基于全桥拓扑封装结构的高压交流LED灯,具体说是用于照明的高压交流LED灯。
技术介绍
直流LED为封装产业的研究主流,研究方向以改善芯片与SLUG之间的热阻为方向,如覆晶与基板封装等,芯片部分则是提升内外部量子效率或光萃取,一般以LED材料的 角度作为研究方向,直流LED具有以下缺点 I.目前的直流LED仅能承受低压直流,高压或交流都可能使得发光二极管损坏,故使用上都必须配合直流转换电路才能用于市电系统。2.低压直流发光二级管正向导通发光,反向低压有漏电流但不发光,必须将发光二级管元件串并联使用提高反向击穿电压,以防止反向电压过高损坏发光二级管。该结构单个LED损坏将严重影响回路,造成同一串联组的发光二级管不亮。为减少该情况,需要减少串联二极管数目,但是相对的会使得电路变长,损耗变大,往往造成末端电压不足,亮度不均匀。3.大功率低压直流的LED芯片易因为静电(ESD)使得瞬间逆向电压升高造成损坏,例如0美国第6547249B2号专利,利用外加一个反向并联的二级管来产生保护电路的作用。4.将多个直流LED串联可直接接到 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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