一种晶硅太阳能MWT电池及制作方法技术

一种晶硅太阳能MWT电池及制作方法，所述MWT电池通过独特的八字形分布打孔方式，实现上下穿孔电极的导通，在裸片上打好孔后，进行制绒、扩散、去PSG、PECVD、丝网印刷、烧结、激光隔离。丝印段步骤为：同时印刷背面正电极和背面负电极；印刷背电场；同时印刷正面栅线和正面填孔栅线。电池片的互连全在背面实现，采用传统的焊接工艺，从电池片的背面负电极(或背面负电极)串焊到电池片的背面负电极(或背面负电极)，实现了与传统组件工艺的高兼容性，解决了目前市场MWT电池的组件成本高的问题。电池表面的遮光面积从传统H型电池的5-7％降到MWT电池的3％左右，从而达到提高效率降低成本的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶硅太阳能MWT电池及制作方法。
技术介绍
晶硅太阳能电池利用晶体硅作为材料制作的将光能转化为电能的发电装置。面对越来越严重的全球能源危机以及气候环保问题，作为清洁能源的太阳能光伏发电必然成为选择。目前太阳能光伏发电成本高于传统的火力发电，为了实现太阳能光伏发电平价化，提高效率降低成本成为整个行业的目标，而提高效率最重要的环节又在太阳能电池环节。 提高晶硅太阳能电池效率的方案很多，目前MWT电池技术是最可行的技术之一。现行业内已有两种成熟的MWT电池技术。技术⑴荷兰ECN设计的16孔MWT电池，电池结构为正面由16(4X4)个花瓣图形均匀分布而成，16个孔处在花瓣中心，花瓣收集的电流经由孔传输到背面连通的圆盘处；背面电流由15(3X5)个背电极焊盘收集。技术⑵德国I SE设计的三列孔式MWT电池，电池结构为正面采用传统的细栅线设计(主栅除去)，通过细栅下的通孔将正面电流传输到背面的栅线(或圆盘)处，通孔位置与传统三主栅电池一祥。背面电流通过四排(4X5)圆盘收集。技术⑴的缺点后续的组件技术复杂，比如需要专门设计的PCB印刷电路背板和打孔对位精确的EVA，设备投入成本増加。针对此种16孔设计方案，设备制造商SIBCO制造了配套的EUR0TR0N设备，价格高昂。电池片互连是在圆形焊盘上实现的，此焊盘需要与EVA上的孔对准，由于机器的对位精度问题，势必影响其组件的良品率。技术⑵的缺点正面实现边缘隔离，造成隔离处PN结损伤，降低受光面积。边缘隔离和正负电极隔离分开，要不增加一台激光设备，増加成本；要不在一台激光设备中实现翻片，降低生产率。圆盘与背场的隔离采用绝缘胶，在焊接和层压时，由于受热和挤压的问题，容易造成隐裂和碎片，不良品増加。
技术实现思路
本专利技术的目的主要是为了解决现有技术的不足，提供一种晶硅太阳能MWT电池设计和制作方法，使得电极的互连与传统焊接エ艺兼容，降低MWT电池组件封装成本，加速MWT电池的产业化。一种晶硅太阳能MWT电池制作方法，含有以下步骤首先在裸硅片上进行八字形分布激光打孔，而后进行电池片エ艺制绒、扩散、去PSG、PECVD、丝网印刷、烧结、激光隔离。丝印段步骤为①同时印刷背面正电极⑴和背面负电极⑵；(D印刷背电场⑶同时印刷正面栅线(4)和正面填孔栅线(5)。一种晶硅太阳能MWT电池，字形电极分布八字形孔连线是电池片的四等分点(O)连接六等分点(P)，并在基础上，O点向中间，P点向边缘偏移最大7_，平均3-4根栅线打ー个孔，孔径80-120um ;细栅宽度50-90um，栅线条数65-80 ;正面的填孔栅线间断分布，间距取决于细栅⑷间距，A组填孔栅线(5)宽度100-150um，B和C组填孔栅线(5)宽度150-250um ;背面正电极(I)和背面负电极(2)宽度O. 8_1. 5mm,背面负电极(2)与背场(3)间距O. 5-lmm ;背面边缘(6)和正负电极(7)的隔离，边缘隔离线距离硅片边缘100-300um，背面负电极⑵和背场⑶的隔离线处在两者间距的中线；隔离线的宽度15-30um，深度IOum左右。本专利技术主要针对如何简化MWT电池组件封装エ艺，降低现有MWT电池组件高昂的设备投入；并将边缘激光隔离改在背面，增加受光面积，提高效率。本专利技术的优点是I.八字形电极设计；容易实现电池的互连，与传统焊接エ艺兼容，降低高昂的设备投入，加速MWT电池产业化；2.背面实现边缘隔离；将边缘隔离从正面改为背面，增加正面PN结面积，增加受光面积，提升电池片效率；3.背面同时实现边缘和正负电极的隔离；将边缘隔离和电极隔离放在一道エ序，节约生产时间，提高生产率。附图说明当结合附图考虑时，通过參照下面的详细描述，能够更完整更好地理解本专利技术以及容易得知其中许多伴随的优点，但此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进ー步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定，如图其中图I为本专利技术的MWT电池电极结构正面图形示意图；图2为本专利技术的MWT电池电极结构背面图形示意图；图3为本专利技术的MWT电池背面的打孔和隔离图形示意图；图4为本专利技术的电极互连结构示意图；图5为本专利技术的八字形设计參数示意图。下面结合附图和实施例对本专利技术进ー步说明。具体实施例方式显然，本领域技术人员基于本专利技术的宗g所做的许多修改和变化属于本专利技术的保护范围。实施例I :如图I、图2、图3、图4、图5所示，一种晶硅太阳能MWT电池制作方法，含有以下步骤首先在裸硅片上进行八字形分布激光打孔，而后进行电池片エ艺制绒、扩散、去PSG、PECVD、丝网印刷、烧结、激光隔离。丝印段步骤为①同时印刷背面正电极⑴和背面负电极⑵印刷背电场⑶同时印刷正面栅线(4)和正面填孔栅线(5)。I、所述打孔图形最大特点是八字形，如图2所示，中间A组孔约10个孔从硅片中心垂直向下分布，C和B组孔约25孔处在八字形上。平均3-4根栅线打ー个孔，孔径80_120um。2、所述八字形孔连线设计是电池片的四等分点(O)连接六等分点(P)，并在基础上，O点向中间，P点向边缘偏移最大7mm。 3、所述正面图形设计与传统图形设计差异很小，只是消除了正面的主栅，避免了厂家重新设计正面图形。设计的细栅宽度50-90um，栅线条数65-80。4、所述正面的填孔栅线间断分布，间距取决于细栅(4)间距，宽度的设计与位置有关，如A组填孔栅线(5)宽度100-150um，B和C组填孔栅线(5)宽度150_250um，平均3-4根栅线共用一个孔。5、所述背面正电极⑴和背面负电极(2)宽度O. 8-1. 5mm，背面负电极⑵与背场(3)间距 O. 5-lmm。6、所述背面边缘(6)和正负电极(7)的隔离，边缘隔离线距离硅片边缘100-300um，背面负电极(2)与背场(3)的隔离线处在两者间距的中线。隔离线的宽度15_30um,深度 IOum 左右。一种晶硅太阳能MWT电池，八字形电极分布八字形孔连线设计是电池片的四等分点(O)连接六等分点(P)，并在基础上，O点向中间，P点向边缘偏移最大7mm，详见图5 ；平均3-4根栅线打ー个孔，孔径80-120um ;正面图形设计与传统图形设计差异很小，只是消除了正面的主栅，设计的细栅宽度50-90um，栅线条数65-80 ;正面的填孔栅线间断分布，间距取决于细栅(4)间距，宽度的设计与位置有关，如A组填孔栅线(5)宽度100-150um，B和C组填孔栅线(5)宽度150-250·;背面正电极(I)和背面负电极(2)宽度O. 8-1. 5臟，背面负电极⑵与背场⑶间距O. 5-lmm ;背面边缘(6)和正负电极(7)的隔离，边缘隔离线距离硅片边缘100-300um，背面负电极⑵与背场(3)的隔离线处在两者间距的中线。隔离线的宽度15-30um，深度IOum左右。实施例2 一种晶硅太阳能MWT电池及制作方法，所述MWT电池通过独特的八字形分布打孔方式，实现上下穿孔电极的导通，电池片エ艺如下在裸片上打好孔后，进行制绒、扩散、去PSG、PECVD、丝网印刷、烧结、激光隔离。丝印段步骤为①同时印刷背面正电极(I)和背面负电极⑵印刷背电场⑶；③同时印刷正面栅线⑷和正面填孔栅线(5)。电池片的互连全在背面实现，采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙良欣，范圣凯，胡盛华，全成，
申请(专利权)人：北京吉阳技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：