一种带反射面的漏泄同轴电缆制造技术

本实用新型专利技术涉及一种带反射面的漏泄同轴电缆，包括漏泄同轴电缆、反射面和固定支架，漏泄同轴电缆置于反射面与固定架之间，固定支架的两个端点连接在反射面上，反射面为曲面结构或板面结构。本实用新型专利技术具有显著加强漏泄同轴电缆一侧的辐射场强，即增加漏泄同轴电缆工作区的电磁波强度；通过调整固定支架的长度，可以控制漏泄同轴电缆辐射场强，使漏泄同轴电缆达到最佳工作状态的优点。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种带反射面的漏泄同轴电缆
本专利涉及通信领域，尤其涉及一种带反射面的漏泄同轴电缆。
技术介绍
漏泄同轴电缆是一种配置连续缝隙天线阵的馈电线，其一部分能量可以以辐射波的形式均匀、稳定地辐射到外部空间，另一部分能量仍在漏泄同轴电缆的内部沿着轴向传输，因此漏泄同轴电缆同时具有传输线和辐射天线的功能。漏泄同轴电缆最重要的性能指标为纵向传输衰减和耦合损耗，纵向传输衰减是描述漏泄同轴电缆内部传输电磁能量损失程度的重要指标，纵向传输衰减越小，则传输距离越远；而耦合损耗是描述 漏泄同轴电缆辐射量及可接收量的综合指标，耦合损耗越小，则辐射场强越强。一般耦合损耗越小(漏泄越多)则纵向传输衰减越大，相反，耦合损耗越大(漏泄越少)则纵向传输衰减越小。在传输距离不变的情况下，想要增加漏泄同轴电缆的辐射电场，除了增加输入功率或利用放大设备外，常用的方法即为几种不同耦合损耗的漏泄同轴电缆的接续配置方法，然而接续方法会增加连接器和跳线的使用，带来不必要的插损。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服以上的不足，提供一种可以显著加强漏泄同轴电缆一侧的辐射场强，即增加漏泄同轴电缆工作区电磁波强度的一种带反射面的漏泄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛济萍，喻志远，赵瑞静，蓝燕锐，王强，
申请(专利权)人：中天日立射频电缆有限公司，
类型：实用新型
国别省市：