一种固体硬盘硬件销毁电路制造技术

本发明专利技术公开一种固体硬盘硬件销毁电路，其特征在于该销毁电路包括销毁触发开关、高压电源、销毁控制器、切换装置阵列、Flash存储阵列和可编程控制器；所述销毁触发开关经可编程控制器与销毁控制器电连接；所述切换装置阵列与Flash存储阵列电连接，并受控连接于销毁控制器；高压电源与切换装置阵列电连接；硬盘正常工作时，切换装置阵列将Flash存储阵列中的Flash芯片供电负极与系统供电负极导通；当销毁控制器接收到销毁触发开关的销毁指令信号后，由销毁控制器控制切换装置阵列逐一将高压电源的正极切换连接到Flash芯片的供电负极上，对Flash芯片施加反向高电压，将所述的Flash芯片逐一烧毁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及信息安全技术，具体为一种固体硬盘硬件销毁电路。该销毁电路适用于数据安全存储领域，尤其是具备数据销毁功能固体硬盘中。
技术介绍
随着信息技术高速发展，传统的机械磁介质硬盘由于其固有的缺点(使用中避免震动，对环境温度适应性差等等)在某些领域越来越不能满足人们的需要。运应而生的采用半导体存储介质(Flash)的固体硬盘使用越发广泛。这种硬盘在使用中不需要机械运动，环境温度适应性强，有效地解决了传统机械硬盘的缺点。但是在信息大爆炸的今天，信息安全被提升到了一个全新的高度，不论是商业系统还是国防安全都越来越多的关注信息安全问题。固体硬盘作为信息存储的载体，有效保护硬盘的信息安全问题被广泛讨论。讨论的焦点主要其中在三个方面第一个就是加密；在计算机系统安装加密软件，对硬盘中的信息进行加密，以防止秘密信息被非法窃取。但对于一些专业人员，尤其是从事秘密信息窃取的间谍来说，加密并不能做到真正的安全；第二个就是信息删除；就是通过执行特定程序，将硬盘中的所有数据全部清除。但该方法存在清除时间长等缺点；第三就是物理销毁；通过启动硬件销毁电路，将Flash控制器或者Flash存储颗粒阵列烧毁，使硬盘处于物理损坏不可恢复的状态。该方法数据清除彻底、执行时间短，可有效保证固体硬盘中数据信息不被非法扩散。从而保护信息安全。采用硬件销毁方法可以通过对固体硬盘上的Flash颗粒分别施加反向高电压，达到逐个烧毁存储介质的目的。中国专利“一种电子硬盘及电子设备”(申请号200710075999. 6)公开了一种固态硬盘硬件销毁方案。该方案中存在对于多片Flash颗粒的烧毁不均衡、不彻底问题。例如对A、B两片Flash，使用C电压对其进行烧毁。众所周知，当C电压同时作用于A、B芯片时，由于Flash颗粒存在细微电气差异性，当A芯片早于B芯片被烧成对地短路时，C电压输出对地短路造成C电压输出保护、输出电压低或损坏，这样就会存在A芯片被烧毁，而B芯片完好无损情况，导致销毁不完全，信息仍不安全。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术拟解决的技术问题是，提供一种固体硬盘硬件销毁电路。该电路旨在解决执行销毁操作时，彻底烧毁固体硬盘上每一颗Flash存储颗粒，达到对存储在Flash颗粒中数据信息彻底销毁的目的。本专利技术解决所述技术问题的技术解决方案是设计一种固体硬盘硬件销毁电路，其特征在于该销毁电路包括销毁触发开关、高压电源、销毁控制器、切换装置阵列、Flash存储阵列和可编程控制器；所述销毁触发开关经可编程控制器与销毁控制器电连接；所述切换装置阵列与Flash存储阵列电连接，并受控连接于销毁控制器；高压电源与切换装置阵列电连接；硬盘正常工作时，切换装置阵列将Flash存储阵列中的Flash芯片供电负极与系统供电负极导通；当销毁控制器接收到销毁触发开关的销毁指令信号后，由销毁控制器控制切换装置阵列逐一将高压电源的正极切换连接到Flash芯片的供电负极上，对Flash芯片施加反向高电压，将所述的Flash芯片逐一烧毁。与现有技术相比，本专利技术固体硬盘销毁电路可逐一对Flash颗粒施加反向高电压，达到对存储介质逐个彻底烧毁的目的，确保全部销毁所有数据信息，克服了现有技术在销毁毁过程中烧毁不完全、不彻底的不足，并具有结构简单，工作可靠，适用性强等特点。附图说明图1是本专利技术固体硬盘硬件销毁电路一种实施例的电气原理方框图。图2是本专利技术固体硬盘硬件销毁电路一种实施例的销毁控制器和可编程控制器工作的逻辑方框图。具体实施例方式下面结合实施例及其附图对本专利技术进一步详细说明。本专利技术设计的固体硬盘硬件销毁电路(简称销毁电路，参见图1、2)，其特征在于该销毁电路包括销毁触发开关I、高压电源2、销毁控制器3、切换装置阵列4、Flash存储阵列5和可编程控制器6 ;所述销毁触发开关I经可编程控制器6与销毁控制器3电连接；所述切换装置阵列4与Flash存储阵列5电连接，并受控连接于销毁控制器3 ;高压电源2与切换装置阵列4电连接；硬盘正常工作时，切换装置阵列4将Flash存储阵列5中的Flash芯片供电负极与系统供电负极导通；当销毁控制器3接收到销毁触发开关I的销毁指令信号后，由销毁控制器3控制切换装置阵列4逐一将高压电源2的正极切换连接到Flash芯片的供电负极上，对Flash芯片施加反向高电压,将所述的Flash芯片逐一烧毁。本专利技术销毁电路所述的销毁触发开关I用于启动销毁命令。实施例的销毁触发开关I采用常规按钮开关。在销毁电路工作过程中，销毁触发开关I可以采用手动触发方式，发送销毁电路命令，也可以采用与固体硬盘物理位置信息或工作状态信息相关的电子触发信号，发送销毁电路命令，还可以用远距离无线遥控方式发送销毁电路命令等。本专利技术销毁电路所述的高压电源2用于给Flash存储阵列5施加反向高电压，通过逐一对Flash颗粒施加反向高电压，达到对存储介质逐个彻底烧毁的目的，确保全部销毁所有数据信息。在电路连接上，保持高压电源2的负极与Flash存储阵列5中Flash芯片的电源正极导通。高压电源2可以采用与固体硬盘系统隔离的高压升压电路，也可以采用离线的电池供电电路。在具体实施中，可以改变高压电源2的产生方式，使销毁电路具备在系统销毁功能，所述的改变高压电源2的产生方式包括电池、系统高压电源等。本专利技术销毁电路所述的Flash存储阵列5中的每颗Flash芯片供电负极分别受切换装置阵列4的切换开关控制。正常工作时，由切换装置阵列4将Flash芯片供电负极与系统供电负极导通，保证正常工作。当销毁控制器3接收到销毁触发开关I的销毁指令信号后，由销毁控制器3控制切换装置阵列4逐一将高压电源正极切换连接到Flash芯片的供电负极上，对Flash芯片施加反向高电压，将Flash存储阵列5中的Flash芯片逐一烧毁，从而将存储在Flash芯片上的数据彻底销毁。本专利技术销毁电路所述的销毁控制器3采用可编程控制器6的逻辑芯片实现控制。可编程控制器6的供电可以通过高压电源2降压产生，由此可以确保本专利技术销毁电路具备上述描述的多种销毁方式。当固体硬盘正常上电工作时，销毁控制器3由固体硬盘的系统工作电压供电。销毁控制器3接收到销毁触发开关I发出的销毁信号后，启动Flash芯片烧毁电路，销毁控制器3对切换装置阵列4发出控制信号，利用切换装置阵列4控制高压电源2分别对Flash存储阵列5中的Flash芯片施加反向高电压，达到逐一烧毁Flash芯片的目的。本专利技术销毁电路所述的切换装置阵列4实施例采用单刀双掷电磁继电器，继电器的数量与Flash存储阵列5中Flash芯片的数量一致，并接受销毁控制器3的控制。在固体硬盘正常工作下，销毁控制器3控制继电器保持Flash芯片的电源负极与固体硬盘系统电源负极导通，保证硬盘正常工作。一旦销毁控制器3接收到销毁触发开关I发出的销毁命令时，销毁控制器3自动控制切换装置阵列4逐一改变阵列的切换状态，分别销毁Flash存储阵列5中的每颗Flash芯片。可编程控制器6具体工作流程参见图2逻辑方框图。现以第一路继电器(用继电器A表不)控制对应的一颗Flash芯片(用Flash芯片A表不)烧毁为例，具体说明控制逻辑和烧毁细节。首先，将继电器A的两个状态分别描述为OPEN状态和CLOSE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贺海英，宁立革，张凯，刘炳坤，蔡勇，
申请(专利权)人：天津市英贝特航天科技有限公司，
类型：发明
国别省市：