一种三氯氢硅合成湿法除尘装置制造方法及图纸

技术编号:7634662 阅读:126 留言:0更新日期:2012-08-03 22:46
一种三氯氢硅合成湿法除尘装置,包括湿法除尘釜,所述湿法除尘釜中部连接三氯氢硅合成气体输入管,湿法除尘釜底部连接沉淀罐,湿法除尘釜下端经料液泵连接水冷却器,水冷却器出口连接湿法除尘釜顶端,所述湿法除尘釜顶端设有三氯氢硅气体输出管。能有效的将大部分杂质进行分离,防止三氯氢硅生产系统堵塞。具有结构简单、成本低的特点,且维护方便。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种三氯氢硅合成湿法除尘装置
技术介绍
二氯氢娃是多晶娃生广系统的重要原料,在二氯氢娃的合成环节中,因为原材料硅粉,氯气和氢气中带有水份,会伴随着三氯氢硅的合成而产生二氧化硅等固体物质,这些物质会缓慢的在管道和设备中沉积下来,会严重堵塞管道和设备。目前普遍采用的杂质处理方法是在三氯氢硅合成炉之后增加一套湿法除尘系统, 利用四氯化硅喷淋液体对三氯氢硅合成气进行喷淋,将合成气中的硅氯高聚物、硅渣等洗涤下来,同时,合成气中的三氯化铝还会溶解在四氯化硅喷淋液中,使湿法除尘系统处理后的合成气中含有的杂质减少,避免了合成气后续处理系统堵塞。湿法除尘后的喷淋液再通过精馏纯化,将所携带的硅氯高聚物、硅渣以及溶解的三氯化铝等杂质进行浓缩分离,并以釜液的形式排出废液废渣处理系统,进行无害化处理,分离后的喷淋液又循环进湿法除尘系统进行喷淋。然而,由于喷淋液精馏纯化系统设备过于复杂和庞大,处理能力有限,釜液中杂质浓度较低时,会造成大量四氯化硅浪费,加重了废液废渣处理系统的处理量,会使多晶硅生产的物耗增加,增加了生产成本;釜液中杂质含量较高时,杂质依然会导致釜液排放管道、 再沸器堵塞,进而堵塞整本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:丁建峰
申请(专利权)人:诺贝尔九江高新材料有限公司
类型:实用新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术