高稀释比和高稳定性的硅片化学机械抛光组合物制造技术

本发明专利技术提供了一种高稀释比和高稳定性的硅片化学机械抛光组合物，包括以下成分：磨料、盐、pH调节剂、螯合剂、活性剂和缓冲体系。本发明专利技术的高稀释比和高稳定性的硅片化学机械抛光组合物，具有如下技术效果：1）选用科学合理的缓冲体系，不盲目提高抛光组合物的pH，抛光过程中pH值变化幅度小，抛光后，硅片表面质量较好，没有表面划伤以及其他缺陷；2）在配制抛光组合物时，增加稳定硅溶胶粒子的物质，可使抛光组合物在配制过程中粒子间保持高度的平衡；增加特定缓冲体系可增加稀释液的pH缓冲性能，使得抛光组合物pH维持在一定的水平，稳定抛光速率；3）抛光组合物配制工艺简单，易操作，适于工业生产；可降低抛光组合物的使用成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学机械抛光组合物，具体地说，涉及一种集成电路硅衬底用高稀释比和高稳定性的硅片化学机械抛光组合物。
技术介绍
随着300nm向450nm乃至更大直径的过渡,生产效率的提高、成本的降低、衬底全局平坦化所必需的是CMP技术的更快发展。 CMP技术的现状是随着IC器件的进一步高密度化、微细化和高速化，所使用的介质材料和金属种类越来越多，如高介质材料和金属种类越来越多。为了晶圆片表面的平坦化，必须对介质和金属进行化学机械抛光，对于O. 25微米以下的集成电路，需要进行10次以上的化学机械抛光。目前现有的抛光组合物存在的主要问题是材料去除率较低、循环使用寿命短、稀释倍数低，很难满足高端客户的需求，而循环使用寿命短的主要表现则为在经长时间抛光后抛光组合物的PH值下降很快。有些制造商为了达到高去除率的目的而盲目地直接提高抛光组合物的PH值，虽然使得抛光速率有了一定的提高，但是造成的结果是硅晶片表面存在较多的腐蚀坑，化学作用过强，导致表面质量下降，对于晶圆的下一步工序产生了较大的影响。并且，有些抛光组合物不能稀释使用，随着抛光时间的增长，抛光组合物的PH会出现明显的下降趋势，这将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李薇薇，
申请(专利权)人：南通海迅天恒纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：