【技术实现步骤摘要】
本专利技术与内存相关,并且尤其与内存的控制装置及控制方法相关。
技术介绍
许多电子产品利用只读存储器储存运作所需的设定值或是參考数据。电子可抹除可规划只读存储器(electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)具有耐久性佳、成本低、写入程序单纯等优点,因此被广泛应用在多种电子产品中。内存容量不同,其外部控制电路(例如时序控制芯片)与内存沟通时所采用的寻址模式也会不同。内存容量愈高,用以表示其中各个储存位置的地址的位数量也愈高。以现行的序列式EEPROM为例,容量为4K/8K/16K位的EEPROM采用单字节寻址模式(one byteaddressing)与外部控制电路沟通;容量为32K/64K/128K/256K/512K位的EEPROM则是采用双字节寻■址模式(two bytesaddressing)与外部控制电路沟通。图I(A)为外部控制电路以单字节寻址模式将数据写入具有内部整合电路(inter-integrated circuit, I2C)接ロ的EEPROM的时序图;图中所示的时序对 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:洪国祥,陈建国,
申请(专利权)人:晨星软件研发深圳有限公司,晨星半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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