内存控制器、内存控制方法及内存系统技术方案

技术编号:7628842 阅读:175 留言:0更新日期:2012-08-01 22:49
本发明专利技术涉及一种通用性寻址模式的内存控制器、内存控制方法以及内存系统。内存控制器包含传送单元及控制单元。传送单元将一预定识别信息传送至一非挥发性内存。控制单元根据非挥发性内存是否回传对应于预定识别信息的一确认信息,决定与非挥发性内存沟通的一寻址模式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与内存相关,并且尤其与内存的控制装置及控制方法相关。
技术介绍
许多电子产品利用只读存储器储存运作所需的设定值或是參考数据。电子可抹除可规划只读存储器(electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)具有耐久性佳、成本低、写入程序单纯等优点,因此被广泛应用在多种电子产品中。内存容量不同,其外部控制电路(例如时序控制芯片)与内存沟通时所采用的寻址模式也会不同。内存容量愈高,用以表示其中各个储存位置的地址的位数量也愈高。以现行的序列式EEPROM为例,容量为4K/8K/16K位的EEPROM采用单字节寻址模式(one byteaddressing)与外部控制电路沟通;容量为32K/64K/128K/256K/512K位的EEPROM则是采用双字节寻■址模式(two bytesaddressing)与外部控制电路沟通。图I(A)为外部控制电路以单字节寻址模式将数据写入具有内部整合电路(inter-integrated circuit, I2C)接ロ的EEPROM的时序图;图中所示的时序对应于I2C接口中数据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:洪国祥陈建国
申请(专利权)人:晨星软件研发深圳有限公司晨星半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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