一种多通道电路不对称性的校准方法技术

本发明专利技术涉及一种多通道电路不对称性的校准方法，它包括以下步骤：步骤S1，建立所述多通道电路的输入输出响应数学模型f(f，x，n)；步骤S2，拟合得到所述数学模型f(f，x，n)的系数因子(aijn，bijn)；步骤S3，将外围实际多路信号作为所述多通道电路的实际输入信号，采集该多通道电路的实际输出值，根据所述实际多路信号的幅值和频率选取相应的系数因子(aijn，bijn)，并根据该选取的系数因子(aijn，bijn)、所述实际输出值以及表达式(1)，计算得到校准输入信号的幅值，以修正所述实际输入信号的幅值，校准所述多通道电路的不对称性。本发明专利技术精度高、灵活性好，可有效修正多通道电路的不对称性，且不影响原始信号的数据带宽和噪声水平。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于多通道电路不对称的自动校准方法，尤其涉及一种用于加速器领域中数字束流位置监测处理器(DBPM)的多通道电路不对称性的校准方法。
技术介绍
束流位置测量系统中位置探头输出为多通道信号，因此，相对应的需要在位置探头的输出端连接多通道射频前端处理电路。由于每一通道前端处理电路中的同型号的元器件的性能存在差异和非线性，如功率放大器、滤波器和模数转换芯片，因此，容易造成每个单一电路通道的输入输出响应不对称；而多通道的不对称性则会影响DBPM处理器的高精度测量性能，因此，需要对这种多通道电路不对称性进行有效的校准。目前多通道电路不对称性修正方法为基于射频开关的多路平衡方法，主要内容为通过射频开关的实时切换，周期性的使用每个通道来处理信号，通过平均的方式来修正通道不对称性。由于该方法中使用了周期性切换的开关，因此由切换开关引入的周期性噪声将会影响处理器的噪声水平和数据带宽。为此，现在需要对这种多通道电路不对称性的修正方法进行改进。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术旨在提供一种精度高、灵活性好的多通道电路不对称性的校准方法，以有效修正多通道电路的不对称性，且不影响原始信号的数据带宽和噪声水平。本专利技术所述的，它包括以下步骤步骤SI，建立所述多通道电路的输入输出响应数学模型f (f，X，η)，该步骤SI包括根据不同的输入频率范围和幅值范围将所述多通道电路的输入输出响应函数划分为多个一阶线性函数，所述多个一阶线性函数的表达式为权利要求1.，其特征在于，所述方法包括以下步骤步骤SI，建立所述多通道电路的输入输出响应数学模型f(f，x，η)，该步骤SI包括根据不同的输入频率范围和幅值范围将所述多通道电路的输入输出响应函数划分为多个一阶线性函数，所述多个一阶线性函数的表达式为2.根据权利要求1所述的多通道电路不对称性的校准方法，其特征在于，所述各个信 号源幅度的递增值 均相同，其中，j≥1。3.根据权利要求1所述的多通道电路不对称性的校准方法，其特征在于，所述各个信 号源幅度的递增值 均不相同，其中，j≥1。4.根据权利要求1、2或3所述的多通道电路不对称性的校准方法，其特征在于，所述各 个信号源频率的递增值&均相同，i ≥ 2。5.根据权利要求1、2或3所述的多通道电路不对称性的校准方法，其特征在于，所述各 个信号源频率的递增值&均不相同，i≥2。6.根据权利要求1所述的多通道电路不对称性的校准方法，其特征在于，所述标准信 号源输出的n路信号均为单频率正弦信号。7.根据权利要求1所述的多通道电路不对称性的校准方法，其特征在于，所述步骤S2 还包括步骤S28，存储所述系数因子(aijn，bijn)，其中，i≥1，j≥1。8.根据权利要求1所述的多通道电路不对称性的校准方法，其特征在于，所述方法通 过连接在所述多通道电路的输出端的FPGA、嵌入式控制器或计算机实现。全文摘要本专利技术涉及，它包括以下步骤步骤S1，建立所述多通道电路的输入输出响应数学模型f(f，x，n)；步骤S2，拟合得到所述数学模型f(f，x，n)的系数因子(aijn，bijn)；步骤S3，将外围实际多路信号作为所述多通道电路的实际输入信号，采集该多通道电路的实际输出值，根据所述实际多路信号的幅值和频率选取相应的系数因子(aijn，bijn)，并根据该选取的系数因子(aijn，bijn)、所述实际输出值以及表达式(1)，计算得到校准输入信号的幅值，以修正所述实际输入信号的幅值，校准所述多通道电路的不对称性。本专利技术精度高、灵活性好，可有效修正多通道电路的不对称性，且不影响原始信号的数据带宽和噪声水平。文档编号G01R31/28GK102590732SQ20121004455公开日2012年7月18日 申请日期2012年2月24日 优先权日2012年2月24日专利技术者冷用斌, 易星 申请人:中国科学院上海应用物理研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：易星，冷用斌，
申请(专利权)人：中国科学院上海应用物理研究所，
类型：发明
国别省市：