CMOS图像传感器制造技术

技术编号:7601661 阅读:117 留言:0更新日期:2012-07-22 03:58
本发明专利技术提供一种CMOS图像传感器,采用包括红外光像元结构及可见光像元结构两种不同的像元结构,在省电模式下只有红外感知的图像传感器工作,将红外感知的像元输出的信号通过比较器与一预设阀值进行比较,若大于所述预设阀值,则打开与其相对应的可见光像元结构进行感光读出。本发明专利技术的CMOS传感器能够工作在省电模式下,结构简单,能够降低CMOS传感器的功耗,并提高CMOS传感器对红外光的感知能力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:田犁汪辉陈杰方娜苗田乐
申请(专利权)人:上海中科高等研究院
类型:发明
国别省市:

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