射频识别中的增益数字式可调混频器制造技术

技术编号:7600807 阅读:182 留言:0更新日期:2012-07-22 02:53
本发明专利技术公开了一种射频识别中的增益数字式可调混频器,其开关电路的各开关管都包括一衬底电极,各所述衬底电极相连接且都连接一电阻分压电路,电阻分压电路为各所述衬底电极提供一衬底偏置电压。电阻分压电路包括多个分压电阻、多个MOS分压开关管以及一译码器;各分压电阻的电阻相同并串联起来,各分压电阻在其串联位置处都输出一相应的分压,并各通过一MOS分压开关管连接到各衬底电极。通过译码器选通一MOS分压开关管实现将一个分压输出到各衬底电极。本发明专利技术混频器具有增益可调且能用数字信号实现对增益的调节的优点、且不增加混频器本身功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种混频器,特别是涉及一种射频识别中的增益数字式可调混频器。技术背景随着物联网技术的发展,对相关设备的性能提出了更高的要求,而射频识别 (RFID)作为物联网的重要组成部分,也同样要求RFID阅读器和标签具有较高的性能。混频器作为RFID中的一个重要模块,其主要功能是通过两个信号相乘实现频率转换。转换增益、噪声、线性度等是混频器的关键性能指标,直接影响着RFID系统的性能。混频器一般是由跨导级、开关级以及负载组成的,跨导级将射频电压信号转换成射频电流信号,本振信号输入到开关级,从而控制晶体管的开和关,最后经由负载得到所需要的信号。如图1所示,为现有Gilbert混频器的电路图,现有Gilbert混频器是由跨导电路、开关电路、尾电流电路和负载电路组成。所述负载电路包括第一负载电阻R1和第二负载电阻&,第一负载电阻R1和第二负载电阻&的第一端都和电源电压VDD相连。所述开关电路包括第一 NMOS开关管M4、第二 NMOS开关管M5、第三NMOS开关管M6 和第四NMOS开关管M7 ;所述第一 NMOS开关管M4和第二 NMOS开关管M5的源极相连接组成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:马和良倪昊景一欧
申请(专利权)人:上海华虹集成电路有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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