微波太赫兹波探测器及其制备方法技术

本发明专利技术揭示了一种微波太赫兹波探测器及其制备方法，以高电子迁移率晶体管为基本结构，该探测器在有源区的台面设有背栅和至少一个长度介于1μm至1mm的条状结构，条状结构中设有呈凹型结构或带指状的正栅，条状结构的两端形成与二维电子气通道欧姆接触的电极，且凹型结构凹处或指与电极的间距为0.5μm至500μm，其中所述背栅刻蚀深度为直达衬底。并且本发明专利技术提出了完整而可行的该种探测器制备方法。应用本发明专利技术的技术方案，较之于传统的探测器系统的显著优点为：能够无需依赖任何光学元件辅助，即可实现对微波-太赫兹波辐射的功率响应和频率响应，为降低探测器系统复杂程度、减少成本提供了一种切实保障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微波-太赫兹波光伏器件，尤其涉及一种可同时响应功率和频率的微波-太赫兹波探测器及其制造技术。
技术介绍
当前，国内外绝大部分用于连续太赫兹波信号探测的探测器，例如，侧热辐射计 (Bolometer)，高莱探测器(Golay Cell)，热释电探测器和肖特基二极管等，只对功率响应， 但太赫兹波技术的应用往往需要得到频谱信息，利用这类探测器进行频率探测一般是通过光谱分析或外差电路来实现的，它具有系统庞大、复杂和昂贵的缺点。虽然利用量子阱中子带跃迁的红外探测器可避免以上缺点，但必须在极低的温度下工作。而基于二维等离子体共振的短沟道场效应晶体管也面临着同样的问题。随着温度的升高，动量弛豫时间将迅速下降。这也就意味着只能探测较高的频率。中国专利CN201010505505所涉及的是基于对二维等离子体波的调控，来实现太赫兹波的光电导探测。另外，中国专利CN200810036127，CN200610025716和 CN200610025716所涉及的THZ探测器都是基于量子阱中子带跃迁来实现光伏或光导的探测。而以上几种THZ探测器都只能直接对功率响应。而要对频率直接响应的话，还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋春萍，王亦，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：