蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料及喷雾生产法制造技术

一种蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料，为稀土离子掺杂的含镁硅酸盐，其中掺杂的Eu2+和Mn2+为发光中心，发射峰的峰位分别在430和660纳米处；该荧光材料采用喷雾生产法制备，包括胶体的制备、雾化、干凝胶颗粒的高温微波灼烧。本发明专利技术的优点是：荧光体成分混合均匀，热稳定和化学稳定高，荧光体颗粒小仅为5-15微米，不需球磨并且可以通过控制雾化参数改变荧光材料颗粒的大小；该荧光粉料用蓝紫光的InGaN芯片激发可以同时发出波长为660纳米的红光和430纳米的蓝光，可用于暖白光LED和植物照明LED封装所需要的660纳米的红光；制备方法中原料成本低，灼烧温度低、节能、环保，适应于大规模工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料及喷雾生产法
本专利技术涉及半导体光电材料
，特别是一种蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料及喷雾生产法。
技术介绍
固态照明
的白光LED主要是采用蓝光LED芯片与蓝光激发荧光粉YAG = Ce 产生黄绿光的荧光粉转光形式来形成白光，由于光谱中缺乏红光，导致封装的LED器件产品色温高、显色指数不到80。为了克服这些缺点，获得色温低和显色性高的暖白光，一种方案是在InGaN蓝光二极管阵列中补充AlGaInP红光二极管，该红光二极管发射波长在610 纳米至630纳米范围，由于蓝光LED和红光LED的正向驱动电压以及发光的不一致，导致发光颜色漂移，要采用复杂的补偿电路解决这一问题；另一种方案是在InGaN芯片封装中的 YAGiCe3+荧光粉中配入CaAlSiN3 = Eu2+ —类的红光荧光粉，该红光荧光粉制备条件苛刻，成本高，封装时由于YAG: Ce3+与CaAlSiN3: Eu2+由于密度、大小的差异，导致发光不均匀。采用蓝紫光的InGaN芯片激发的红光材料是一个获得低色温、高显色性的重要技术，稀土离子掺杂的含镁硅酸盐，化学式为(B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王达健，王龄昌，陆启飞，曹利生，李建，宋俊，王延泽，马健，董晓菲，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：