【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到一种除杂装置。
技术介绍
目前，单晶，尤其是蓝宝石晶体生长过程中，原料熔化时熔液表层易产生挥发物，挥发物的成分主要有钨、钼、氧化铝等，这些挥发物会影响引晶，甚至还影响晶体的生长质量，而且这些挥发物在坩埚锅盖上提拉口处凝结后还会阻碍其它装置的提升。原先的做法是任由这些挥发物停留在坩埚内，所以生产出来的晶体质量也不高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种去除溶液表层挥发物的除杂装置。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为一种除杂装置，包括支架，所述支架上竖直设置有两个金属波纹管，两波纹管之间通过托盘相连，位于上方的波纹管的上端与支架上端固定连接，位于下方的波纹管的下端与支架下端固定连接，托盘上设置有手柄，且手柄位于波纹管外侧，托盘上还设置有金属杆，金属杆位于下方的波纹管内，且当金属杆向下移动时可从下方的波纹管中伸出，两波纹管、托盘和支架之间形成一个只有下方波纹管下端与外界相通的空腔。本专利技术的有益效果是利用挥发物的趋冷性，使其凝结在金属杆上，最后随金属杆取出，避免了挥发物对晶体生长的影响。附图说明图1是本专利技术除杂装置的结构图。图中1、支架，2、上波纹管，3、下波纹管，4、托盘，5、手柄，6、金属杆。具体实施例方式下面结合附图，详细描述本专利技术的具体实施方案。如图1所示，本专利技术所述的除杂装置，包括支架1，所述支架1上竖直设置有两个金属波纹管——上波纹管2和下波纹管3，上波纹管2与下波纹管3之间通过托盘4相连，上波纹管2的上端与支架1上端固定连接，下波纹管3的下端与支架1下端固定连接，托盘4上设置有手柄5，且手柄...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：伊戈尔库兹涅佐夫，伊戈尔柯尔克，马克菲列格勒，刘春艳，毕成，胡春霞，
申请(专利权)人：苏州优晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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