场发射显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种场发射显示器，包括基板、数据电极、栅极、栅极驱动单元发射器设置区以及多个发射器。其中，栅极形成于数据电极之上，并与数据电极形成至少一重叠区。多个发射器设置于数据电极上方的一发射器设置区内，且发射器设置区设置于重叠区内。栅极驱动单元，置放于基板的第一侧，并输出一栅极电压以驱动栅极。本发明专利技术关于场发射显示器基板上发射器设置区的位置与数据电极的相对位置关系和亮度不均的改善。特别是当栅极电压因阻抗产生压降易造成场发射显示器的亮度不均匀时，通过适当地设置发射器设置区来改善此一缺点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场发射显示器的结构，特別是涉及一种场发射显示器基板上的发射器设置区与栅极驱动单元设置的结构。
技术介绍
图1所示为现有技术的场发射显示器的俯视图，发射器设置区M散布于数据电极53之上并没有特别考虑其设置位置。而发射器57的置放位置则是由纳米粒子(nano particle)散布于基板51上的位置所決定。由于旋转涂布器(spin coater)洒出纳米粒子吋，因旋转涂布器置于基板中央之故，纳米粒子因离心カ的关系，在基板51上的分布密度就呈现疏密不一致的情形。而场发射显示器就会因发射器57的密度疏密不一致而呈现亮度不均勻的缺点。再者，纳米粒子洒布前，基板上已形成的各层结构也影响纳米粒子落在基板上的位置。另ー个影响亮度的因素是栅极驱动电压Vg的压降问题。栅极驱动单元55输出栅极电压Vg以驱动栅极52时，栅极电压Vg沿第一方向由基板51的第一侧(例如接近栅极驱动单元55的ー侧)传送到基板51的第二侧(例如远离栅极驱动単元55的ー侧)，栅极电压Vg会因阻抗之故而有压降。此压降也将使不同位置的场发射显示器所受的电压不同而导致亮度不均。因此，场发射显示器亮度不均的问题存在着，且亟需一方法来解決。
技术实现思路
本专利技术的目的就是在提供一种亮度均勻的场发射显示器。本专利技术提出一种场发射显示器，主要包括基板、数据电极、栅极、栅极驱动单元发射器设置区以及多个发射器。其中，栅极形成于数据电极之上，并与数据电极形成至少一重叠区。多个发射器设置于数据电极上方的一发射器设置区内，且发射器设置区设置于重叠区内。栅极驱动单元，置放于基板的第一侧，并输出ー栅极电压以驱动栅扱。其中，发射器设置区包括了第一设置区与第二设置区。第一设置区，位于较靠近栅极驱动单元的ー侧。第二设置区，位于较远离栅极驱动单元的另ー侧，且第一设置区的面积小于第二设置区的面积。 其中，第一设置区与第二设置区是以重叠区内的数据电极的中央线为界。在本专利技术的较佳实施例中，上述的场发射显示器的基板上，数据电极往基板的第 ニ侧方向有至少有ー突出部，且发射器设置区置放于突出部上。本专利技术提供的场发射显示器亮度均勻。为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例， 并配合附图，作详细说明如下。附图说明图1示出为现有场发射器显示器基板的俯视图。CN 102543037 A图2示出为本专利技术第一实施例的场发射器显示器基板俯视图。图3A示出为图2中A-A，的剖面图。图;3B示出为图2中B-B，的剖面图。图3C示出为图2中C-C’的剖面图。图4示出为图2中A-A，的另ー剖面图。图5示出为本专利技术第二实施例的场发射器显示器基板俯视图。图6A示出为图5中A-A，的剖面图。图6B示出为图5中B-B，的剖面图。图6C示出为图5中C-C’的剖面图。主要附图标记说明1，11，51:基板2，12，52:栅极3，13，53:数据电极4，14，54:发射器设置区5，15，55 栅极驱动单元6 第二金属层7，17，57:发射器8 栅极金属层9:阻抗层10 第一绝缘层21，121:栅极突出部22，122 纵向配置的栅极线31，131 数据电极突出部32，132 纵向配置的数据线41，141:第一设置区42，142:第二设置区L 数据电极突出部中央线Vg:栅极电压具体实施例方式以下将參照图2、图3A-3C说明本专利技术的实施内容。图2示出场发射显示器的俯视图。图3A、3B、3C则分别示出图(2)中A-A，、B-B，、C-C，的剖面图。如图2所示，场发射显示器具有数据电极3与栅极2分别以其图样形成于基板1上。发射器设置区4设置于数据电极3上，发射器7则置放于发射器设置区4之内。在此实施例中，数据电极3与栅极2有重叠区域，而发射器设置区4则设置于数据电极3与栅极2的重叠区域内。栅极驱动单元 5输出驱动电压Vg，用以驱动栅极2，且栅极驱动单元5置放于基板1的左側。在明白本专利技术的精神后，将栅极驱动单元5置放于基板1右侧也能达到相同的效果。本实施例仅方便说明，并不限定栅极驱动单元5只能置放于基板1的左側。栅极驱动单元5输出栅极电压Vg由基板1的第一侧传送到基板1的第二侧，例如由左侧传送至右側。但栅极电压Vg因为信号传递较远以及阻抗之故，电压会由基板1的第 ー侧(左侧)到基板1的第二侧(右侧)逐渐递减。如图2所示，栅极电压Vg由在基板1 的左侧为35伏特逐渐向基板1的右侧递减到约33伏持。因此，若假设发射器7在基板1上的密度是均勻的情况下，场发射显示器在靠近基板1的左侧的亮度会比右侧的亮度高。但实际上，由于纳米粒子洒布于基板1上的密度并不均勻，发射器7的密度也就不均勻。通过适当得设置发射器设置区4，可以改善因栅极电压Vg压降所导致场发射显示器在靠近基板 1的左侧的亮度会比右侧的亮度高的缺点。以下接着说明本实施例中，如何设置发射器设置区4。此实施例中，如图2所示，栅极2包含多条纵向配置的栅极线22，每ー纵向配置的栅极线22包含多个向基板左侧延伸的栅极凸出部21，数据电极3包含多条纵向配置的数据线32，每ー纵向配置的数据线32包含多个向基板右侧延伸的数据电极凸出部31，每ー发射器设置区4位于每ー组对向延伸的栅极凸出部21与数据电极凸出部31的重叠区域内。又如图3A-3C剖面图所示，发射器设置区4位于数据电极3上方，并包含第一设置区41与第二设置区42，第一设置区41位于较靠近栅极驱动単元5的一侧，而第二设置区42位于较远离栅极驱动单元5的另ー侧，且第一设置区41的面积小于第二设置区42的面积，而第一设置区41与该第二设置区42是以数据电极凸出部31的中央线L为界。甚至，第一设置区41的面积可以为零，亦即，发射器 7可仅设置于发射器设置区4的第二设置区42。基板的第一侧(左侧)的情况如下所述。如图2与图3A所示，栅极电压Vg为35 伏持，而图3A中第二设置区42因设置于纳米粒子密度较低的区域，发射器7的密度也较低，故发射器7发光强度较低。而基板的第二侧(右側)的情况又如图2与图3C与以下所述。栅极电压Vg因压降之故仅为33伏持，但图3C中第二设置区42却是设置于纳米粒子密度较高的区域，发射器7的密度反而较高，故发射器7发光强度较强。由于场发射显示器的亮度皆与栅极电压Vg和发射器7发光强度呈现正相关，如此便可补偿栅极电压Vg压降所产生的问题。通过适当得设置发射器设置区4，调整了发射器7在基板1的第一侧(左側) 的密度与在基板1的第二侧(右侧)的密度，间接调整发射器7在基板1的第一侧(左侧) 的发光强度与在基板1的第二侧(右側)的发光强度，达到改善场发射显示器因栅极电压 Vg压降所造成亮度不均勻的问题。图4所示为图2中A-A’的剖面图。以下更加详细说明此实施例的剖面图。数据电极3为第一金属层(例如镍、铬)所形成，栅极2则是由至少两层金属层所形成，在此实施例中是由第二金属层6与栅金属层8所形成，第二金属层6可以是铝，而栅金属层8可以是铬。数据电极3形成后，阻抗层(resist layer) 9与第一绝缘层10 (例如ニ氧化硅)， 分別覆盖于数据电极3之上，且第一绝缘层10置于阻抗层9之上，接着形成栅极2中的第 ニ金属层6于第一绝缘层10上。接着进行撒布纳米粒子，纳米粒子经由旋转涂布器(spin c本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志伟，陈盈颖，王仓鸿，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：