具有巨磁阻抗效应的材料及制备方法技术

本发明专利技术公开一种可在百兆赫兹以下出现明显巨磁阻抗效应的纳米量级材及制备方法。本发明专利技术所述的具有巨磁阻抗效应的材料的结构是：衬底材料上形成带有均匀孔洞的绝缘层模板，在绝缘层模板的孔洞中有钴或铁或钴铁合金或者其他磁性的材料的纳米线，在绝缘层模板和纳米线的上表面有一层铁镍合金的薄膜，所述的薄膜和纳米线形成一个类似刷子状的结构，所述的基底材料是金属材料，绝缘层模板是电绝缘的金属氧化物或高分子聚合物。本发明专利技术的具有巨磁阻抗效应的材料中所用的衬底金属材料可以是铝或钛，其上的绝缘模板是铝或钛的氧化物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种功能材料，或/和用于磁性传感器的材料及其制备方法，确切讲本专利技术是一种可在百兆赫兹以下出现明显巨磁阻抗效应的纳米量级材及制备方法。
技术介绍
巨磁阻抗效应(GMI)是对通有高频交流电的软磁材料施加一个外磁场，其薄膜的交流阻抗随外磁场发生巨大变化的特征。近些年，随着物联网技术的迅速发展，在汽车电子、机器人技术、生物工程、自动化控制等领域急需一些新型的、小型的、高性能的和响应快的新型磁敏传感器件来监测磁场、速度、转速、位移、扭矩等等。目前使用最为广泛的磁敏传感器为霍尔传感器，但是其弱的输出信号好较差的温度稳定性，使其灵敏度受到较大的限制。而利用各向异性磁电阻效应制备的AMR传感器的输出信号只有2% _4%，其磁场灵敏度小于/Oe0近来，利用巨磁电阻效应制备的GMR传感器的信号变化可达80%以上，因此GMR传感器可以获得更高的信号输出，但GMR传感器也有一个缺点是驱动磁场相对而言较高(3000e以上)，其磁场灵敏度也在-2% /Oe0 1992年的一些研究发现的巨磁阻抗效应，在弱磁场下具有非常高的灵敏度，其磁场灵敏度达2% -300% /Oe,比AMR和GMR传感器高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王建波，张毅，刘青芳，任勇，
申请(专利权)人：兰州大学，
类型：发明
国别省市：