一种实现多畴显示的广视角液晶显示器制造技术

技术编号:7475926 阅读:181 留言:0更新日期:2012-07-04 19:33
本发明专利技术涉及液晶显示技术,具体公开一种实现多畴显示的广视角液晶显示器,包括多个子像素,各子像素分别接至相应的公共电极、像素电极、源极及栅极,所述公共电极与所述像素电极之间可形成多方向的平面电场,使得相应子像素内的电场分成多个方位,用以实现多畴的液晶分子排布。这样,就可以改善某些特定角度的灰阶逆转现象,有效改善色偏的问题,也可让广视角效果更均匀、更稳定,有助于进一步提升显示画质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示技术,具体来说是涉及一种实现多畴显示的广视角液晶显示O
技术介绍
薄膜晶体管TFTCThin Film Transistor)液晶显示器在现代生活中有着越来越多的使用如手机显示屏,Note Book显示屏,MP3、MP4显示屏,GPS显示屏,IXD TV显示屏等等。图la、图Ib为典型的液晶显示器电极布局示意图,玻璃基板4上设置有非晶硅层1、棚极层2、源极层3以及上下保护层6,间隔1’的公共电极7置于上保护层6上,像素电极5 置于上下保护层6之间。关于液晶显示器基本结构及其工作原理的更详细资料,请参考有关文献,不展开说明。目前,人们对液晶显示器性能的要求也越来越高,不但在色彩表现上要有出色的要求,在对比度、可视角度上也有了更多的追求,即要求从多角度都能清晰地看到显示图像,特别是车载类显示产品上,高对比度,广视角的液晶显示更是被广泛地应用。广视角产品在这样的背景下成为市场的必然要求,目前已成为了一种流行的液晶显示方式。为了实现广视角显示,一般采用增加补偿膜的方式来实现,存在成本较高的问题。当然,也可通过液晶分子平面切换的方式来改善视角,其利用空间厚度、摩擦强度并有效利用公共电极与像素电极之间横向驱动电压E的改变,让液晶分子做最大的平面旋转角度来增加视角。现有各种液晶显示器产品一般采用单畴结构,其公共电极图形结构类似。具体请参见图2A 图2F示例,其中的公共电极与像素电极形成的平面电场方向单一,液晶分子排布只有单畴模式,在不同角度观看显示画面会有色偏的现象,因而不能完全满足市场要求。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种实现多畴显示的广视角液晶显示器,可以改善某些特定角度的灰阶逆转现象,从而有效改善色偏的问题,也可让广视角效果更均勻,更稳定,进一步提升显示画质。为解决以上技术问题,本专利技术提供的技术方案是一种实现多畴显示的广视角液晶显示器,包括多个子像素,各子像素分别接至相应的公共电极、像素电极、源极及栅极,所述公共电极与所述像素电极之间可形成多方向的平面电场,使得相应子像素内的电场分成多个方位,用以实现多畴的液晶分子排布。较优地,所述公共电极掏孔出多个梳齿状的公共电极掏孔线,构成整体为梳子状的公共电极。较优地,所述公共电极的各公共电极掏孔线分别弯曲,使所述公共电极与所述像素电极之间形成多方向的平面电场。较优地,所述公共电极的各公共电极掏孔线分别成折线形,使所述公共电极与所述像素电极之间形成多方向的平面电场。较优地,所述公共电极的各公共电极掏孔线成近似的“Z”形。较优地,所述公共电极的各公共电极掏孔线成近似的“V”形。较优地,所述公共电极的各公共电极掏孔线成近似的“W”形。较优地,所述源极的源极线成弯曲状,用以利用像素边缘处电场,减小液晶翻转使用面积受到所述公共电极的影响。较优地,所述源极的源极与所述公共电极的各公共电极掏孔线的弯曲角度相同。较优地,各子像素成多行多列排布,构成像素矩阵。与现有技术相比,本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器的优选实施例中,改变了梳子状公共电极的图形结构,将公共电极图形制作成近似字母“Z”形或其它折线形,由此使公共电极与像素电极之间形成多角度的平面电场,最终将一个子像素内的电场分成多个不同的方位,从而得到多畴的液晶分子排布。这样,本专利技术就可以改善某些特定角度的灰阶逆转现象,有效改善色偏的问题,也可让广视角效果更均勻、更稳定,进一步提升显示画质。附图说明图IA为液晶显示器的电极布局图一;图IB为液晶显示器的电极布局图二 ;图2A为单畴结构广视角液晶显示器中单个像素的示意图;图2B为单畴结构广视角液晶显示器中栅极图形图2C为单畴结构广视角液晶显示器中源极图形;图2D为单畴结构广视角液晶显示器中像素电极图形;图2E为单畴结构广视角液晶显示器中公共电极图形;图2F为单畴结构广视角液晶显示器中各图层重叠后示意图;图3A为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例一中单个像素的示意图;图;3B为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例一中栅极图形;图3C为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例一中源极图形;图3D为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例一中像素电极图形;图3E为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例一中公共电极图形;图3F为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例一中各图层重叠后的示意图;图3G为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例一中像素阵列的示意图;图4A为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例二中单个像素的示意图;图4B为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例二中栅极图形;图4C为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例二中源极图形;图4D为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例二中像素电极图形;图4E为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例二中公共电极图形;图4F为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例二中各图层重叠后的示意图;图4G为本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例二中像素阵列的示意图。具体实施例方式本专利技术优选实施例的基本构思是,改变梳子状公共电极的图形结构,将公共电极图形制作成近似字母“Z”形或其它折线形,使公共电极与像素电极形成多角度的平面电场, 以便将一个子像素内的电场分成多个不同的方位,从而得到多畴的液晶分子排布,最终改善某些特定角度的灰阶逆转现象,有效改善色偏的问题,让广视角效果更均勻、更稳定,以进一步提升显示画质。为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的详细说明。实施例一参见图3A 图3G,表示本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例一的电极结构排布。该实施例中图3A为单个像素的示意图;图:3B表示棚极图形;图3C为源极图形;图3D为像素电极图形;图3E为公共电极图形;图3F为各图层重叠后示意图;图3G为像素阵列的示意图。该实施例中,公共电极7掏孔出多个梳齿状的公共电极掏孔线,由此构成整体为梳子状的公共电极7。该公共电极的图形与“Z”相似形状,当然该公共电极7也可为“V”、 “W”形等折线形式,或其它弯曲形式。由此使得梳子状的公共电极7与像素电极5形成多角度的夹角,从而可以获得多个不同角度的平面电场,从而将液晶分子的排布分割成更多的本实施例中,通过使公共电极7与像素电极5形成多角度的平面电场,以便将一个子像素P内的电场分成多个不同的方位,从而得到多畴的液晶分子排布,最终改善某些特定角度的灰阶逆转现象,有效改善色偏的问题,让广视角效果更均勻、更稳定,以进一步提升显示画质。如之不同,图2A 图2F所示单畴结构的公共电极图形结构中,公共电极7与像素电极5形成的平面电场方向单一,液晶分子排布只有单畴模式,在不同角度观看显示画面会有色偏的现象,不能很好地满足用户的要求。由于本实施例可以改善某些特定角度的灰阶逆转现象,有效改善色偏的问题,也可让广视角效果更均勻、更稳定,这大大地进一步提升了显示画质。本专利技术还可进一步改进,兹举一例进行说明。实施例二参见图4A 图4G,表示本专利技术实现多畴显示的广视角液晶显示器实施例二的电极结构排布。该实施例中图4A为单个像素的示意图;图4B表示棚极图形;图4C为源极图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡君文李林洪胜宝谢凡庄崇营何基强
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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