一种太赫兹波高速调制器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种太赫兹波高速调制器及其制作方法，包括衬底层，在该衬底层上生长有缓冲层，在该缓冲层生长有应变量子阱结构，在该应变量子阱结构的上表面制备的由金属谐振单元周期阵列组成的金属超材料结构；所述缓冲层与衬底层材料相同，所述势阱层的能带隙小于势垒层，且所述势垒层与衬底层的晶格常数的相同或相差0.5%以内。本发明专利技术应变量子阱结构内具有由应变产生的极强的压电场，能够显著延长光生载流子的复合寿命和浓度，从而极大降低对调制激光器功率的要求；通过改变InGaAs/GaAs应变量子阱中In组分和量子阱宽度，可灵活地调节内部压电场的大小和电荷空间分离的程度，进而方便地调节本发明专利技术调制速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太赫兹波通信领域，尤其涉及一种太赫兹波调制器及其制作方法。技术背景无线通信的有限频谱资源和迅速增长的高速业务需求的矛盾迫使人们去开发新的频谱波段。太赫兹波是指频率在0.1 THz到10 THz范围的电磁波(1 THz = IO12 Hz)，波长为0.03 mm到3 mm，具有很大的带宽，因此发展THz无线通信技术具有重要的实际应用价值。其中太赫兹波调制器是太赫兹通信系统中必不可少的器件之一，而目前太赫兹调制器的性能主要受限于材料的选择和制备。新型半导体基底材料和电磁超材料 (meta-material)的有机结合有望实现太赫兹某些关键技术，尤其是太赫兹调制技术的突破。近年来所报道的THz波调制器有利用半导体块状材料对THz波进行调制的方法。 中国计量学院的李九生等基于超高电阻率的硅(Si)晶片，利用808 nm激光照射产生光生载流子对THz波进行调制。由于超高电阻率Si片中载流子的复合寿命较长，所以其调制速率仅为0.2k bps。砷化镓GaAs中载流子的寿命较短，有可能成为制备高速太赫兹调制器的基底材料。捷克的L. !^ekete等人采取在交替层叠的SiO2和M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张雄，丛嘉伟，郭浩，崔一平，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：