一种flash存储器块细分的数据寻址存储方法技术

技术编号:7471602 阅读:190 留言:0更新日期:2012-07-02 03:53
本发明专利技术提供一种flash存储器块细分的数据寻址存储方法,该方法中将flash存储器的存储区定义为复数个页空间,页空间的前4个字节进行保留,其中前4个字节的头2个字节作为该页空间状态标志;状态标志包括页清空、页接收以及页有效的状态;且页空间以每4个字节作为一存储单元来存储一数据;并将要写入的数据定义为存储的数据加上虚拟地址的结构;应用程序通过判断页空间的状态,存储要写入的数据;当一页空间写入数据满后,则将有效数据复制到另一个处于页清空状态的页空间;复制完毕后,页空间进行擦除操作并继续写数据。当有大量重要的数据并且改变很频繁的情况下,利用本发明专利技术的方法能及时保存及中断恢复数据;能保证数据存取灵活性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及嵌入式软件
,尤其涉及。
技术介绍
设备在运行时、往往有些数据是比较重要的,但是当有大量这种重要数据并且改变很频繁的情况下,这种数据的及时保存及中断恢复就成为了问题;且这些重要数据需要占用较大的空间,或者其存取的灵活性无法保证。目前设备中并行接口的非易失存储器很多,如EEPR0M、FLASH、FRAM、SRAM+备用电池方式等占据了市场主流,几种产品性能方面各有优缺。使用广泛的是EEPROM及FLASH 存储器,其它方式目前还存在标准问题及成本过高的问题。其中EEPROM的市场应用范围最为广泛,其缺点也很明显,写入速度慢,至少IOms的写等待时间,而且写操作次数有限制, 并且总体存储容量有限。FLASH存储器存储容量大,但其存储特性又使得其在使用过程中存在存取不灵活的特点,具体表现为传统flash特性为块(block)擦除、最小操作单元到位(bit)可编写;位操作特性为将1改写0,并且不可逆,逆操作需要通过flash块擦操作实现。现有技术中提供了一种数据存储方法及装置,如公开日为2009年10月14日,公开号为CN101556556的中国专利,其特征点是获得当前本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郭鑫俊
申请(专利权)人:福建新大陆通信科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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