栅极驱动电路制造技术

为了得到能够使半导体开关元件高速地接通的栅极驱动电路，具备：缓冲器电路(4)，具有互补地导通、截止的导通用开关元件(2)以及截止用开关元件(3)，驱动半导体开关元件(10)；第1直流电压源(6)，正极被连接于导通用开关元件(2)的源极或者发射极，负极被连接于基准电位(5)；以及第2直流电压源(12)，正极被连接于截止用开关元件(3)的源极或者发射极，负极被连接于基准电位(5)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及驱动半导体开关元件的栅极驱动电路，特别涉及能够使半导体开关元件高速地进行开关的栅极驱动电路。
技术介绍
在以往的栅极驱动电路中，作为半导体开关元件MOSFET (Metal-Oxide-Semicondu ctor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的栅极驱动电路，一般使用串联连接了晶体管、MOSFET的缓冲器电路。在该电路中，通过对缓冲器的基准电位施加负偏置，从而在MOSFET截止时能够使栅极电压成为负，所以能够防止半导体开关元件的开关的误动作(例如，参照专利文献1)。专利文献1 日本特开平7-M5557号公报(第3页、第1图)
技术实现思路
半导体开关元件在开关时的过渡状态期间产生传导损耗。伴随半导体开关元件的大容量化，传导损耗也会增加，但以往通过半导体开关元件的高速开关化来使过渡状态期间缩短，并降低了传导损耗。近年来，伴随利用宽带隙半导体形成的半导体开关元件的实用化，能够实现更高速的开关，期待降低传导损耗。但是，存在如下问题=MOSFET的驱动电路的驱动能力不足，无法使半导体开关元件的能力充分发挥。另外，为了降低与半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：北村达也，中武浩，中山靖，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：