一种自启闭式浴霸用控制系统技术方案

本发明专利技术公开了一种自启闭式浴霸用控制系统，其特征在于，主要由控制芯片U，温控器，三极管VT2，极性电容C5，极性电容C4，N极与控制芯片U的VDD管脚相连接、P极经电阻R8后与控制芯片U的RC管脚相连接的稳压二极管D3，串接在温控器与控制芯片U之间的晶体管开关缓冲电路，以及与控制芯片U相连接的基极驱动电路组成。本发明专利技术能对浴霸的暖灯的温度进行控制，即本发明专利技术能对浴霸工作电流的通断进行控制，从而确保了本发明专利技术能对浴霸的温度进行控制。同时，本发明专利技术能对输入电流的瞬间高电流进行抑制，使电流保持平稳，使发明专利技术能输出稳定的驱动电流，从而确保了浴霸加热温度的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体的说，是一种自启闭式浴霸用控制系统。
技术介绍
浴霸以其加热快、环保、使用方便等特点，已经被人们广泛接纳和采用。然而，目前人们使用的浴霸的控制系统不能对浴霸的温度进行控制，导致浴室内的温度过过高，从而致使人们在使用浴霸时常出现因高温而缺氧的情况。同时，现有的浴霸的控制系统还存在输出驱动电流不稳定的问题，导致浴霸的暖灯的加热温度不稳定，从而影响了浴霸的暖灯的使用寿命。因此，提供一种既能对浴霸的温度进行控制，又能确保输出稳定的驱动流的浴霸控制系统便是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的浴霸的控制系统不能对浴霸的温度进行控制，同时存在输出驱动电流不稳定的缺陷，提供的一种自启闭式浴霸用控制系统。本专利技术通过以下技术方案来实现：一种自启闭式浴霸用控制系统，主要由控制芯片U，温控器，三极管VT2，负极经电阻R9后与三极管VT2的集电极相连接、正极经电阻R6后与控制芯片U的COV管脚相连接的极性电容C5，正极经电阻R5后与控制芯片U的RC管脚相连接、负极与控制芯片U的FB管脚相连接的极性电容C4，N极与控制芯片U的VDD管脚相连接、P极经电阻R8后与控制芯片U的RC管脚相连接的稳压二极管D3，串接在温控器与控制芯片U之间的晶体管开关缓冲电路，以及与控制芯片U相连接的基极驱动电路组成；所述控制芯片U的VDD管脚与三极管VT2的基极相连接，其GND管脚接地；所述三极管VT2的发射极与基极驱动电路相连接；所述基极驱动电路与晶体管开关缓冲电路相连接。所述晶体管开关缓冲电路由场效应管MOS1，场效应管MOS2，三极管<br/>VT1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端接地的电阻R1，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与场效应管MOS1的源极相连接的极性电容C1，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与场效应管MOS1的源极相连接的电阻R2，N极经电阻R3后与场效应管MOS2的漏极相连接、P极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的N极相连接、负极与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C2，P极与与场效应管MOS2的源极相连接、N极与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D2，以及正极经电阻R4后与场效应管MOS2的源极相连接、负极经电阻R7后与控制芯片U的SS管脚相连接的极性电容C3组成；所述场效应管MOS1的漏极接地；所述场效应管MOS2的栅极与二极管D1的N极相连接、其漏极分别与控制芯片U的FB管脚和基极驱动电路相连接；所述场效应管MOS1的栅极与温控器相连接；所述三极管VT1的发射极与控制芯片U的RC管脚相连接；所述三极管VT1的发射极作为晶体管开关缓冲电路的输入端。所述基极驱动电路由三极管VT3，三极管VT4，N极经电阻R12后与三极管VT3的基极相连接、P极与控制芯片U的ISNS管脚相连接的二极管D4，正极经电阻R13后与三极管VT3的发射极相连接、负极与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C6，一端与三极管VT4的基极相连接、另一端与控制芯片U的ORV管脚相连接的电阻R10，正极经电阻R14后与三极管VT4的集电极相连接、负极接地的极性电容C7，一端与极性电容C7的负极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R11，P极与三极管VT3的发射极相连接、N极经电阻R15后与极性电容C7的负极相连接的二极管D5，以及正极经电感L后与三极管VT4的集电极相连接、负极与极性电容C7的负极共同形成基极驱动电路的输出端的极性电容C8组成；所述三极管VT3的集电极与控制芯片U的VDD管脚相连接；所述极性电容C7的负极与控制芯片U的FB管脚相连接。为了本专利技术的实际使用效果，所述控制芯片U则优先采用TPS402000集成芯片来实现。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：(1)本专利技术能对浴霸的暖灯的温度进行控制，即本专利技术能对浴霸工作电流的通断进行控制，使浴霸能在设定的温度下实现自动开启与关闭，从而确保了本专利技术能对浴霸的温度进行控制，有效的防止了人们因高温而缺氧的情况；同时，本专利技术能对输入电流的瞬间高电流进行抑制，使电流保持平稳，使专利技术能输出稳定的驱动电流，从而确保了浴霸加热温度的稳定性。(2)本专利技术的控制芯片U1则优先采用TPS402000集成芯片来实现，该控制芯片U1具有过热保护、过压过流保护等功能，该芯片与外围电路相结合能有效的对输出电流进行调整，使本专利技术能输出稳定的驱动电流，从而确保了本专利技术能为浴霸提供稳定的工作电流，使浴霸的暖灯加热温度保持稳定。(3)本专利技术能输出稳定的电流，从而本专利技术能有效的延长浴霸的暖灯的使用寿命。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合实施例及其附图对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由控制芯片U，温控器，三极管VT2，电阻R5，电阻R6，电阻R8，电阻R9，极性电容C4，极性电容C5，稳压二极管D3，晶体管开关缓冲电路，以及基极驱动电路组成。实施时，极性电容C5的负极经电阻R9后与三极管VT2的集电极相连接、其正极经电阻R6后与控制芯片U的COV管脚相连接。极性电容C4的正极经电阻R5后与控制芯片U的RC管脚相连接、其负极与控制芯片U的FB管脚相连接。稳压二极管D3的N极与控制芯片U的VDD管脚相连接、其P极经电阻R8后与控制芯片U的RC管脚相连接。晶体管开关缓冲电路的串接在温控器与控制芯片U之间。基极驱动电路与控制芯片U相连接。所述控制芯片U的VDD管脚与三极管VT2的基极相连接，其GND管脚
接地；所述三极管VT2的发射极与基极驱动电路相连接；所述基极驱动电路与晶体管开关缓冲电路相连接。进一步地，所述晶体管开关缓冲电路由场效应管MOS1，场效应管MOS2，三极管VT1，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R7，极性电容C1，极性电容C2，极性电容C3，二极管D1，以及二极管D2组成。连接时，电阻R1的一端与场效应管MOS1的栅极相连接、其另一端接地。极性电容C1的负极与三极管VT1的基极相连接、其正极与场效应管MOS1的源极相连接。电阻R2的一端与三极管VT1的发射极相连接、其另一端与场效应管MOS1的源极相连接。二极管D1的N极经电阻R3后与场效应管MOS2的漏极相连接、其P极与三极管VT1的集电极相连接。同时，极性电容C2的正极与二极管D1的N极相连接、其负极与场效应管MOS2的漏极相连接。二极管D2的P极与与场效应管MOS2的源极相连接、其N极与场效应管MOS2的漏极相连接。极性电容C3的正极经电阻R4后与场效应管MOS2的源极相连接、其负极经电阻R7后与控制芯片U的SS管脚相连接。所述场效应管MOS1的漏极接地；所述场效应管MOS2的栅极与二极管D1的N极相连接、其漏极分别与控制芯片U的FB管脚和基极驱动电路相连接；所述场效应管MOS1的栅极与温控器相连接；所述三极管VT1的发射极与控制芯片U的RC管脚相连接；所述三极管VT1的发射极作为晶体管开关缓冲电路的输入端和温控器均与外部电源相连接。更进一步地，所述基极驱动电路由三极管VT3，三极管VT4，电阻R10，可调电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自启闭式浴霸用控制系统，其特征在于，主要由控制芯片U，温控器，三极管VT2，负极经电阻R9后与三极管VT2的集电极相连接、正极经电阻R6后与控制芯片U的COV管脚相连接的极性电容C5，正极经电阻R5后与控制芯片U的RC管脚相连接、负极与控制芯片U的FB管脚相连接的极性电容C4，N极与控制芯片U的VDD管脚相连接、P极经电阻R8后与控制芯片U的RC管脚相连接的稳压二极管D3，串接在温控器与控制芯片U之间的晶体管开关缓冲电路，以及与控制芯片U相连接的基极驱动电路组成；所述控制芯片U的VDD管脚与三极管VT2的基极相连接，其GND管脚接地；所述三极管VT2的发射极与基极驱动电路相连接；所述基极驱动电路与晶体管开关缓冲电路相连接。

【技术特征摘要】
1.一种自启闭式浴霸用控制系统，其特征在于，主要由控制芯片U，温控器，三极管VT2，负极经电阻R9后与三极管VT2的集电极相连接、正极经电阻R6后与控制芯片U的COV管脚相连接的极性电容C5，正极经电阻R5后与控制芯片U的RC管脚相连接、负极与控制芯片U的FB管脚相连接的极性电容C4，N极与控制芯片U的VDD管脚相连接、P极经电阻R8后与控制芯片U的RC管脚相连接的稳压二极管D3，串接在温控器与控制芯片U之间的晶体管开关缓冲电路，以及与控制芯片U相连接的基极驱动电路组成；所述控制芯片U的VDD管脚与三极管VT2的基极相连接，其GND管脚接地；所述三极管VT2的发射极与基极驱动电路相连接；所述基极驱动电路与晶体管开关缓冲电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种自启闭式浴霸用控制系统，其特征在于，所述晶体管开关缓冲电路由场效应管MOS1，场效应管MOS2，三极管VT1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端接地的电阻R1，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与场效应管MOS1的源极相连接的极性电容C1，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与场效应管MOS1的源极相连接的电阻R2，N极经电阻R3后与场效应管MOS2的漏极相连接、P极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的N极相连接、负极与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C2，P极与与场效应管MOS2的源极相连接、N极与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D2，以及正极经电阻R4后与场效应管MOS2的源极相连接、负极经电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李云粉，
申请(专利权)人：成都飞凯瑞科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51