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一种大球盖菇开沟种植方法技术

技术编号:7464168 阅读:232 留言:0更新日期:2012-06-26 16:22
一种大球盖菇开沟种植方法,本发明专利技术采用在种植时开沟铺料,让种植后的墒面和地面高度保持一致,该生产方法步骤如下:1)按传统方法和工艺备培养料;2)开墒种植;3)在开墒挖好的沟内进行铺培养料种植;4)盖覆盖物保温保水。本发明专利技术的有益效果是,针对大球盖菇生长的好湿性,需充足水分,怕虫害腐烂,不喜强烈阳光直射,适于温暖性气候的特性,本发明专利技术采用挖成沟的墒面进行叠层培植,让墒面和地面高度保持一致,既保湿,又透气,控温、保水,防阳光直射;在高原地区创造了十分适于大球盖菇的生长的环境条件,能够使大球盖菇在高原地区正常、高产地生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属食用菌种植
,具体是一种大球盖菇种植方法
技术背景大球盖菇,又名皱环球盖菇、酒红色球盖菇,是近年从波兰引进的在欧美各国人工栽培的珍稀名贵食用菌新品种。鲜菇色泽艳丽,肉质脆嫩滑爽,干品气味清香,味道鲜美柔和,营养丰富。含有相当高的蛋白质、糖质、矿物质、维生素和17种氨基酸,颇受国内外消费者欢迎。大球盖菇适应性强,能在4-30°C范围内栽培出菇,菇朵挺拔高大,最大朵重2公斤以上。大球盖菇适应性强,栽培技术简便粗放,生产成本低,我国南北各地均可就地取材,利用长稻草、小麦秆、大麦秆等各种农作物秸秆为原料,不添加有机肥料,是一种栽培容易成功、盈利有保障的珍稀美味食用菌,具有广阔的开发前景。目前大球盖菇生长主要受气候条件差异的影响,在海拔1850米以上的高原地带种植的大球盖菇虽然品质较好,但产量却远不如沿海高湿地带,主要原因是高原地区降雨量少,空气干燥等。要保证品质并提高产量,就要在种植技术和方法上有新的突破,要根据当地的环境和气候特征,创新专利技术一套高原高产种植技术方法。
技术实现思路
本专利技术解决了云南干燥气候下大球盖菇产量低的问题,该生产方法比传统的种植方法保温保湿,能有效提高大球盖菇在干燥气候条件下的产量和质量,并且工艺简单易操作。本专利技术是通过如下技术方案实现的。一种大球盖菇种植方法,该生产方法步骤如下,1. ,本专利技术采用在种植时开沟铺料,让种植后的墒面和地面高度保持一致,该生产方法步骤如下1)按传统方法和工艺备培养料准备的种植培养料原料采用绝大部分为农作物桔杆和下脚料,将种植原料进行浸泡,浸泡液按照石灰与水为0. 5 :100 2 100比例的石灰水配制,根据原料的粗细,泡料时间为2 48小时,将浸泡后的种植原料进行堆捂,堆捂时间为3 15天,调均水分使水占种植原料的60 85%,拌均勻,平整种植地,挖排水沟使排水沟低于墒面沟,两头畅通能够排水;2)开墒种植,将墒面挖成沟,沟形状为梯形或槽状,沟的宽度为30 120cm,深度5 20cm,对地块用生右灰进行消毒杀菌处理,每亩用生右灰量为10 30公斤,播撒均勻,再用低毒药品敌百虫或敌杀死或乐果或速杀灭丁作防虫处理,并对地块采用灭菌灵喷雾杀虫,3)在开墒挖好的沟内进行铺培养料种植,种植分2至3层播种,种植分2层时即先铺培养料再撒种,再铺第二层料,撒第二层种;如果种植分3层,即先铺培养料再撒种,再铺第二层料,撒第二层种,再铺第三层料,撒第三层种,最后在种好的墒面盖3 8cm 土 ;铺培养料厚度每层为2 12cm。4)盖覆盖物保温保水采用遮阴的覆盖物盖在墒面防阳光直射,控制温度4到32 度,预防高温和低温,保持水分,水分保持为40%到90%。先盖薄膜,再盖草或麻片,或直接盖草或麻片,或采用凡可以遮阴的都可用,草帘、 草席、树叶等,范围很广。大球盖菇生活温度为4到32度,最适宜18到M度,水分为40% 到90%都可以,最适宜75%,田块种植不可精密控制,一般是盖好覆盖物之后,自然温度和湿度即可。本专利技术的有益效果是,针对大球盖菇生长的好湿性,需充足水分,怕虫害腐烂,不喜强烈阳光直射,适于温暖性气候的特性,本专利技术采用挖成沟的墒面进行叠层培植,让墒面和地面高度保持一致,既保湿,又透气,控温、保水,防阳光直射;在高原地区创造了十分适于大球盖菇的生长的环境条件,能够使大球盖菇在高原地区正常、高产地生长。下面结合实施例进一步阐述本
技术实现思路
。具体实施方式实施例一,本专利技术特征在于,采用在种植时开沟铺料,让种植后的墒面和地面高度保持一致,该生产方法步骤如下1)按传统方法和工艺备培养料准备的种植培养料原料采用绝大部分为农作物桔杆和下脚料,将种植原料进行浸泡,浸泡液按照石灰与水为0. 5 100 2 100比例的石灰水配制,根据原料的粗细,泡料时间为20小时,将浸泡后的种植原料进行堆捂,堆捂时间为8 天,调均水分使水占种植原料的70%,拌均勻,平整种植地,挖排水沟使排水沟低于墒面沟, 两头畅通能够排水;2)开墒种植,将墒面挖成沟,沟形状为梯形或槽状,沟的宽度为40cm,深度10cm,对地块用生右灰进行消毒杀菌处理,每亩用生右灰量为15公斤,播撒均勻,再用低毒药品敌百虫或敌杀死或乐果或速杀灭丁作防虫处理,并对地块采用灭菌灵喷雾杀虫,3)在开墒挖好的沟内进行铺培养料种植,种植分2层播种,即先铺培养料再撒种,再铺第二层料,撒第二层种;最后在种好的墒面盖5cm 土 ;铺培养料厚度每层为5cm。4)盖覆盖物保温保水采用遮阴的覆盖物盖在墒面防阳光直射,控制温度为20 度,预防高温和低温,保持水分,水分保持为50%。实施例二,本专利技术特征在于,采用在种植时开沟铺料,让种植后的墒面和地面高度保持一致,该生产方法步骤如下1)按传统方法和工艺备培养料准备的种植培养料原料采用绝大部分为农作物桔杆和下脚料,将种植原料进行浸泡,浸泡液按照石灰与水为0. 5 100 2 100比例的石灰水配制,根据原料的粗细,泡料时间为2 48小时,将浸泡后的种植原料进行堆捂,堆捂时间为3 15天,调均水分使水占种植原料的60 85%,拌均勻,平整种植地,挖排水沟使排水沟低于墒面沟,两头畅通能够排水;2)开墒种植,将墒面挖成沟,沟形状为梯形或槽状,沟的宽度为30 120cm,深度5 20cm,对地块用生右灰进行消毒杀菌处理,每亩用生右灰量为10 30公斤,播撒均勻,再用低毒药品敌百虫或敌杀死或乐果或速杀灭丁作防虫处理,并对地块采用灭菌灵喷雾杀虫,3)在开墒挖好的沟内进行铺培养料种植,种植分2至3层播种,种植分2层时即先铺培养料再撒种,再铺第二层料,撒第二层种;如果种植分3层,即先铺培养料再撒种,再铺第二层料,撒第二层种,再铺第三层料,撒第三层种,最后在种好的墒面盖3 8cm 土 ;铺培养料厚度每层为2 12cm。4)盖覆盖物保温保水采用遮阴的覆盖物盖在墒面防阳光直射,控制温度4到32 度,预防高温和低温,保持水分,水分保持为40%到90%。实施例三,本专利技术特征在于,采用在种植时开沟铺料,让种植后的墒面和地面高度保持一致,该生产方法步骤如下1)按传统方法和工艺备培养料准备的种植培养料原料采用绝大部分为农作物桔杆和下脚料,将种植原料进行浸泡,浸泡液按照石灰与水为0. 5 100 2 100比例的石灰水配制,根据原料的粗细,泡料时间为2 48小时,将浸泡后的种植原料进行堆捂,堆捂时间为3 15天,调均水分使水占种植原料的60 85%,拌均勻,平整种植地,挖排水沟使排水沟低于墒面沟,两头畅通能够排水;2)开墒种植,将墒面挖成沟,沟形状为梯形或槽状,沟的宽度为30 120cm,深度5 20cm,对地块用生右灰进行消毒杀菌处理,每亩用生右灰量为10 30公斤,播撒均勻,再用低毒药品敌百虫或敌杀死或乐果或速杀灭丁作防虫处理,并对地块采用灭菌灵喷雾杀虫,3)在开墒挖好的沟内进行铺培养料种植,种植分2至3层播种,种植分2层时即先铺培养料再撒种,再铺第二层料,撒第二层种;如果种植分3层,即先铺培养料再撒种,再铺第二层料,撒第二层种,再铺第三层料,撒第三层种,最后在种好的墒面盖3 8cm 土 ;铺培养料厚度每层为2 12cm。4)盖覆盖物保温保水采用遮阴的覆盖物盖在墒面防阳光直射,控制温度4到32 度,预防高温本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:滕正平
申请(专利权)人:滕正平
类型:发明
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