【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体
,涉及一种安全LED芯片。
技术介绍
外量子效率是高亮度LED芯片的主要技术瓶颈,其大小等于内量子效率与光的出射率之积。当前,商业化LED的内量子效率已经接近100%,但是外量子效率小于30%。这主要是由于光的出射率低造成的。引起光的出射率低的主要因素有晶格缺陷对光的吸收, 衬底对光的吸收,光在出射过程中,在各个界面由于全反射造成的损失。目前,常用的LED 芯片在刻蚀后所有的侧壁与垂直线的典型夹角小于10。,由于GaN和空气的折射率分别是 2. 5和1,在^iGaN-GaN活性区产生的光能够传播出去的临界角约为23。,因此LED发射的大部分光在界面被反射回来,形成波导光被困在器件内部,经过多次反射最终被半导体吸收, 这大大限制了 GaN基发光二极管的外量子效率。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种安全LED芯片,能够提高LED芯片的出光效率。为解决上述技术问题,本技术采用如下技术方案一种安全LED芯片,包括硅片,设置在硅片里面处理器模块、加解密模块,存储模块,电源检测模块和I/O接口模块,所述所有模块通过安全芯片内部的总线相互连接 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:丁杰,王金,
申请(专利权)人:深圳市锐骏半导体有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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