【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种使用氧化物半导体的显示装置及其制造方法。技术背景在液晶显示装置中典型看到的形成在例如玻璃衬底的平板上的薄膜晶体管使用非晶硅或多晶硅制造。使用非晶硅的薄膜晶体管具有低场效应迁移率，但是可以在大玻璃衬底上形成。另一方面，使用结晶硅的薄膜晶体管具有高场效应迁移率，但是由于需要进行例如激光退火的晶化工序，因此其并不总是能在大玻璃衬底上形成。根据前述，使用氧化物半导体制造薄膜晶体管并将其应用于电子装置或光学装置的技术受到注目。专利文献1及专利文献2中公开这些技术的例子，其中采用用于氧化物半导体膜的氧化锌或基于^-Ga-S1-O的氧化物半导体来制造薄膜晶体管，并将其用于图像显示装置的开关元件等。日本专利申请公开2007-123861号公报日本专利申请公开2007-96055号公报在沟道形成区中使用氧化物半导体的薄膜晶体管的场效应迁移率比使用非晶硅的薄膜晶体管更高。氧化物半导体膜可以利用溅射法等在300°C或以下的温度下形成，其制造工序比使用多晶硅的薄膜晶体管简单。此类氧化物半导体预计用于在玻璃衬底、塑料衬底等上形成薄膜晶体管，并应用于液晶显示装置、电致...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，秋元健吾，小森茂树，鱼地秀贵，和田理人，千叶阳子，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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