一种锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷的制备方法技术

一种锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷的制备方法，首先制备具有通式(Na0.52K0.48)1-xLixSbyNb1-yO3的铌酸钾钠基陶瓷的A粉料和B粉料，其中，A粉料中0.075≤x≤0.065，0.06≤y≤0.05；B粉料中0.04≤x≤0.05，0.03≤y≤0.04；然后将A粉料和B粉料等摩尔比混合，再制备最终的锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷。本发明专利技术采用两步法合成锂、锑掺杂的铌酸钾钠基陶瓷，在0～80℃之间，其压电常数d33均保持在250～275PC/N之间，与传统一步法合成的产物相比在保持较高压电性能的同时，其温度稳定性较原有方法制得的锂、锑掺杂的铌酸钾钠基陶瓷也要好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功能陶瓷领域的压电陶瓷，具体的说是。
技术介绍
压电陶瓷材料具有化学性质稳定，易于制备成各种形状、尺寸和极化方向的产品， 能通过掺杂和置换取代改性得到适合不同需要的具有不同特性的陶瓷，并且价格低廉，因而得到了广泛的应用。在众多无铅压电陶瓷中，(Na0.5K0.5) NbO3基压电陶瓷目前被认为是最有前景的无铅压电陶瓷。现有技术中通过锂、锑、钽等元素进行A位或B位替代，可将(Naa5Ka5)NbO3陶瓷的正交 四方相变温度从200°C左右降低到室温左右，使得材料在室温下具有两相共存的结构，从而大幅度提高铌酸钾钠基陶瓷的压电性能。这些材料的合成均为将原料直接混合，然后在一定的工艺条件下制成，由于这种材料的结构仅在相变点附近存在，因此优异的压电性能也仅仅在相变点附近存在。这些压电性能优异的陶瓷存在这样的共同缺点室温下优异的压电性能随着温度的变化而迅速降低，即温度稳定性差。
技术实现思路
为解决铌酸钾钠基陶瓷的压电性能随温度变化迅速降低的问题，本专利技术提供了。本专利技术为解决上述技术问题采用的技术方案为，包括以下两大步骤分别制备具有通式( . 52K0.48) 1_xLixSb本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：臧国忠，李立本，杜凯，李新忠，
申请(专利权)人：河南科技大学，
类型：发明
国别省市：