一种单接触式自转公转基舟制造技术

本发明专利技术提供一种单接触式自转公转基舟，解决气相沉积生长法在材料生长过程中的厚度不均匀问题。本发明专利技术包含有基舟基座，基舟基座上的小圆凹槽内设有衬底基座，基舟基座的镂空孔内设有转动轮，转动轮顶端设有C齿轮，C齿轮与衬底基座的半圈齿轮接触，转动轮底端设有B齿轮，基舟基座下面设有一个可以改变转向的马达，马达连接A齿轮，A齿轮与B齿轮啮合。本发明专利技术可实现衬底的自转与公转，提高设备性能，在一定程度上降低工艺调试难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用气相沉积方法生长材料的设备的内部结构，更具体地，涉及一种化学气相沉积(CVD)和氢化物气相外延生长(HVPE)等材料生长设备或其他实验设备。
技术介绍
以GaN、ΙηΝ,ΑΙΝ, InGaN,AlGaN和AlInGaN为主的III族氮化物材料，是第三代半导体材料的代表。其中GaN、AlN具有禁带宽、电子饱和漂移速率高、击穿电场强度高、抗辐射强、热稳定性好和化学性能稳定等优点。III族氮化物材料在短波长发光二极管(LED)和激光二极管(LD)半导体器件，以及包括高频、高温、高功率晶体管和集成电路的电子器件的发展和制造过程中起着越来越重要的作用。目前已经用于III族氮化物材料生长的方法，主要有金属有机物气相外延法 MOCVD (包括APMOCVD、LPMOCVD、PE—M0CVD)、高温高压合成法、分子束外延法(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)法等方法。其中氢化物气相外延(HVPE)是使用卤化氢与III族金属反应， 然后与氨气(NH3)反应生成III族氮化物，其生长速度快，设备简单，成本低，被公认为最有前途的生长GaN自支撑衬底技术，因而引起了国内外研究人员的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵红军，刘鹏，毕绿燕，袁志鹏，张俊业，王姣，张国义，童玉珍，孙永健，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：