【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能电池片的生产设备,尤其是一种可以改善晶体硅太阳能电池片光致衰减特性的太阳能电池片衰减装置。
技术介绍
晶体硅太阳能电池片是目前光伏市场的主流产品。然而,由于晶体生长过程中引入了杂质,对电池片的初期光照会导致其中的掺杂剂和氧、铁等杂质形成复合中心,从而使硅片的少子寿命降低,引起电池转换效率的降低,产生光致衰减。通常认为可以采用以下方法解决光致衰减问题1、采用可降低和控制单晶氧含量的磁场直拉法;2、利用区熔单晶的工艺拉制单晶;3、用镓或铟元素取代硼作为P型掺杂剂的拉晶方法;4、采用磷作为N型掺杂剂的拉晶方法。对这四种方法的普遍认知是方法1虽然能控制和降低单晶中的氧含量, 当时需要配置磁场设备并提供其激磁电源,必然会增加成本。方法2也可以避免直拉工艺中大量氧进入硅晶体的固有缺陷,但成本较高,主要用于IC的硅片制造,要降低成本就必须对工艺进行相关改造。而第三种方法中由于镓和铟的分凝系数问题,使单晶沿头尾轴向的电阻率变化太大,影响了单晶质量,不利于工业化生产。使用磷掺杂的N型单晶,势必要大规模的改变电池片生产工艺,代价也很大。
技术实现思路
本专利技术 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:童彩霞,瞿辉,陈剑锋,何文超,
申请(专利权)人:江苏顺风光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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