可调电子开关式控制的离网充放电系统技术方案

技术编号:7409529 阅读:185 留言:0更新日期:2012-06-06 20:32
本实用新型专利技术提供了一种具有过流保护,控制效果好的可调电子开关式控制的离网充放电系统,包括NPN三极管,两个二极管,稳压管,四个电阻,三个电容,温度传感器,压敏电阻;还包括五个并联的NMOS管,即五个NMOS管的栅极、源极和漏极分别相连,所述五个NMOS管的源极接地,漏极连接负载端口,接电器负载,栅极通过与第四电阻串联后接到所述NPN三极管的集电极。本实用新型专利技术的可调电子开关式控制的离网充放电系统,用NPN三极管形成的电子开关,用来控制五个并联的NMOS管的导通和关断,可以实现对充放电电流大小的控制。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种充放电系统,尤其是一种可调电子开关式控制的离网充放电系统
技术介绍
离网充放电系统用于家具电器的储能,可以实现电器的充放电控制。现有的离网充放电系统只能控制充放电动作,不能控制电流大小。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种能够控制电流大小的离网充放电系统。实现本技术目的的可调电子开关式控制的离网充放电系统,包括NPN三极管,两个二极管,稳压管,四个电阻,三个电容,温度传感器,压敏电阻;还包括五个并联的 NMOS管,即五个NMOS管的栅极、源极和漏极分别相连,所述五个NMOS管的源极接地,漏极连接负载端口,接电器负载,栅极通过与第四电阻串联后接到所述NPN三极管的集电极。所述NPN三极管的发射极接地,基极接第二二极管的负极,第二二极管的正极接输入信号端口,第一电容接在输入信号端口和地之间,第一电阻接在输入信号端口和所述温度传感器之间,第二电阻接在NPN三极管的基极和地之间,第三电阻接在NPN三极管的集电极和温度传感器之间,第二电容接在NPN三极管的集电极和地之间,稳压管也接在NPN三极管的集电极和地之间,第一二极管接在电池正极和负载端口之间。本技术的有益效果如下本技术的可调电子开关式控制的离网充放电系统,用NPN三极管形成的电子开关,用来控制五个并联的NMOS管的导通和关断,可以实现对充放电电流大小的控制。附图说明图1为本技术可调电子开关式控制的离网充放电系统的电路图。具体实施方式本技术的实施例如下如图1所示,本技术的可调电子开关式控制的离网充放电系统,包括NPN三极管Q1,两个二极管,稳压管D3,四个电阻,三个电容,温度传感器RT1,压敏电阻M0V1,电池的正极J1,电池的负极J2,负载端口 J3,输入PWM信号端口 J4 ;还包括五个并联的NMOS管,即第一 NMOS管Q2、第二 NMOS管Q3、第三NMOS管Q4、第四NMOS管Q5、第五NMOS管Q6的栅极、 源极和漏极分别相连,所述五个NMOS管的源极接地,漏极连接负载端口 J3,接电器负载,栅极通过与第四电阻R4串联后接到所述NPN三极管Ql的集电极。所述NPN三极管Ql的发射极接地,基极接第二二极管D2的负极,第二二极管D2的正极接输入信号端口 J4,第一电容Cl接在输入信号端口 J4和地之间(作用是滤波电容),第一电阻接Rl在输入信号端口 J4和所述温度传感器RTl之间,第二电阻R2接在NPN三极管Ql的基极和地之间(第一电阻Rl和第二电阻R2的作用是产生NPN三极管Ql正常工作所需的基极偏置电压),第三电阻R3接在NPN三极管Ql的集电极和温度传感器RTl之间(作用是产生NPN三极管Ql正常工作所需的集电极偏置电压,温度传感器RTl的作用是过温保护,因为一旦三极管Ql流过电流过大,温度过高,会把电路关断,起到保护电路的作用),第二电容C2接在NPN三极管Ql的集电极和地之间(起到滤波电容的作用),稳压管D3也接在NPN三极管Ql的集电极和地之间(起到防止电压波动太大的作用),第三电容C3、第五电阻R5与温度传感器RTl组成过压保护电路,防止NMOS管的源极和漏极两端电压过大而损坏,第一二极管Dl接在电池正极Jl和负载端口 J3之间。本技术的可调电子开关式控制的离网充放电系统,用NPN三极管Ql形成的电子开关,可调是指输入信号端口 J4的是一组脉冲宽度可调的PWM信号,该信号通过调整三极管Ql的导通关断时间,进而控制功率匪05管02、03、04、05、06的导通关断时间,通过调整导通关断时间可以达到来调节NMOS管的充放电电流大小,形成一种可调电子开关式控制的离网充放电系统。上面所述的实施例仅仅是对本技术的优选实施方式进行描述,并非对本技术的范围进行限定,在不脱离本技术设计精神前提下,本领域普通工程技术人员对本技术技术方案做出的各种变形和改进,均应落入本技术的权利要求书确定的保护范围内。权利要求1.一种可调电子开关式控制的离网充放电系统,包括NPN三极管,两个二极管,稳压管,四个电阻,三个电容,温度传感器,压敏电阻;其特征在于还包括五个并联的NMOS管, 即五个NMOS管的栅极、源极和漏极分别相连,所述五个NMOS管的源极接地,漏极连接负载端口,接电器负载,栅极通过与第四电阻串联后接到所述NPN三极管的集电极。2.根据权利要求1所述的可调电子开关式控制的离网充放电系统,其特征在于所述 NPN三极管的发射极接地,基极接第二二极管的负极,第二二极管的正极接输入信号端口, 第一电容接在输入信号端口和地之间,第一电阻接在输入信号端口和所述温度传感器之间,第二电阻接在NPN三极管的基极和地之间,第三电阻接在NPN三极管的集电极和温度传感器之间,第二电容接在NPN三极管的集电极和地之间,稳压管也接在NPN三极管的集电极和地之间,第一二极管接在电池正极和负载端口之间。专利摘要本技术提供了一种具有过流保护,控制效果好的可调电子开关式控制的离网充放电系统,包括NPN三极管,两个二极管,稳压管,四个电阻,三个电容,温度传感器,压敏电阻;还包括五个并联的NMOS管,即五个NMOS管的栅极、源极和漏极分别相连,所述五个NMOS管的源极接地,漏极连接负载端口,接电器负载,栅极通过与第四电阻串联后接到所述NPN三极管的集电极。本技术的可调电子开关式控制的离网充放电系统,用NPN三极管形成的电子开关,用来控制五个并联的NMOS管的导通和关断,可以实现对充放电电流大小的控制。文档编号H02J7/10GK202268728SQ20112040294公开日2012年6月6日 申请日期2011年10月13日 优先权日2011年10月13日专利技术者张思泉, 许瑞桐, 赵明 申请人:厦门路迅电控有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张思泉赵明许瑞桐
申请(专利权)人:厦门路迅电控有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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