一种固态硬盘及闪存芯片的充放电控制方法技术

本发明专利技术适用于存储技术领域，提供了一种固态硬盘及闪存芯片充放电控制方法，该方法包括：将同一物理页映射至相互耦合的两个逻辑页，其中一个逻辑页由物理页中的最低有效位映射组成，另一逻辑页由物理页中的最高有效位映射组成；将写入数据进行缓存，并将缓存中与两个相互耦合的逻辑页对应的数据根据物理页与相互耦合的两个逻辑页的映射关系合并为一份与物理页对应的数据；根据合并后的数据对物理页的多层存储单元进行充放电控制，使多层存储单元的电压状态表示为合并后的数据的数值。借此，本发明专利技术能够避免对多层存储单元进行重复的充放电，减少了充放电次数及闪存芯片的磨损，提高了闪存芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储
，尤其涉及。
技术介绍
NAND型闪存可根据每一存储单元中可储存的位数区分为SLC (Single-LevelCell，单层单元)NAND型闪存与MLC NAND型闪存。SLC NAND型闪存芯片的每个存储单兀可以有两种状态闻电压或低电压,分别表示数据O和1，这样一个存储单元可以表示一个数据bit位。由多个物理存储单元组成一个物理页，该物理页可以表示相同数量的bit位，即逻辑页。MLC NAND型闪存芯片的每个存储单元可以有4种电压状态。MLC根据电压值不同，表示不同的数据。图1是一种MLC NAND型闪存芯片的存储单元的电压分布示意图，当电压处于(TA之间时表示数据11，当电压位于A、之间时表示数据10，当电压位于B飞之间时表示数据01，当电压位于(TD之间时表示数据00。这样一个存储单元可以表示两个数据bit位，MLCNAND型闪存芯片一个物理页为SLC NAND型闪存芯片一个物理页2倍数量的bit 位。一般会分为和物理页相同大小的两个逻辑页，低位的O或I组成LSB(leastsignificant bit,最低有效位)，高位的 O 或 I 组成 MS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存芯片充放电控制方法，用于固态硬盘，所述闪存芯片的物理页包括多个多层存储单元，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将同一物理页映射至相互耦合的两个逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另一逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成；将写入数据进行缓存，并将所述缓存中与两个相互耦合的逻辑页对应的数据根据所述物理页与相互耦合的两个逻辑页的映射关系合并为一份与物理页对应的数据；根据所述合并后的数据对所述物理页的多层存储单元进行充放电控制，使所述多层存储单元的电压状态表示为所述合并后的数据的数值。

【技术特征摘要】
1.一种闪存芯片充放电控制方法，用于固态硬盘，所述闪存芯片的物理页包括多个多层存储单元，其特征在于，所述方法包括如下步骤 将同一物理页映射至相互耦合的两个逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另一逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成； 将写入数据进行缓存，并将所述缓存中与两个相互耦合的逻辑页对应的数据根据所述物理页与相互耦合的两个逻辑页的映射关系合并为一份与物理页对应的数据； 根据所述合并后的数据对所述物理页的多层存储单元进行充放电控制，使所述多层存储单元的电压状态表示为所述合并后的数据的数值。2.根据权利要求1所述的充放电控制方法，其特征在于，并将缓存中与两个相互耦合的逻辑页对应的数据根据所述物理页与相互耦合的两个逻辑页的映射关系合并为一份与物理页对应的数据的步骤包括 判断写入数据对应的逻辑页的耦合逻辑页是否已经写入数据至缓存中； 若是则将该逻辑页与所述耦合逻辑页对应的数据合并为一份与物理页对应的数据，否则继续等待下一数据写入缓存直至所述耦合逻辑页对应的数据写入。3.根据权利要求2所述的充放电控制方法，其特征在于，所述继续等待下一数据写入缓存直至所述耦合逻辑页对应的数据写入之后还包括 若等待超时且当前逻辑页的耦合逻辑页已经写入过数据，则将该耦合逻辑页的数据读入缓存，并将其与当前逻辑页的缓存数据合并为一份与物理页对应的数据。4.根据权利要求2所述的充放电控制方法，其特征在于，所述继续等待下一数据写入缓存直至所述耦合逻辑页对应的数据写入之后还包括 若等待超时且当前逻辑页的耦合逻辑页未写入过数据，则将该耦合逻辑页的数据设置为全1，并将其与当前逻辑页的缓存数据合并为一份与物理页对应的数据。5.根据权利要求1所述的充放电控制方法，其特征在于，所述将同一物理页映射至相互耦合的两个逻辑页的步骤中，所述闪存芯片的每个多层存储单元具有4种电压状态，4种电...

【专利技术属性】
技术研发人员：金明，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：