【技术实现步骤摘要】
高稳定性电子三极管
本技术涉及一种硅外延高稳定性电子三极管。
技术介绍
在采用硅外延平面技术制造硅双极型晶体管的过程中，单纯用二氧化硅作为钝化膜存在着很大的不稳定性，例如，双极型器件中击穿电压的蠕变，小电流下直流放大系数hFE 的下降，在高温贮存和功率老化寿命试验中hFE不稳定等等。而造成直流放大系数hFE不稳定的主要原因是器件氧化层内部或氧化层上存在着大量的可动电荷，它们在高温或偏压时产生移动从而引起直流放大系数hFE不稳定。为了使直流放大系数hFE稳定，就必须采取措施尽量减少氧化层内部或氧化层上的可动电荷，并使它们在高温和偏压的作用下不产生移动。
技术实现思路
本技术的目的就是提供一种生产成本低、电性能更稳定的硅外延高稳定性电子三极管。本技术的技术方案如下所述一种高稳定性电子三极管，是将现有的硅外延平面三极管单纯用二氧化硅作为钝化膜的结构，设计为里层为二氧化硅、中间层为磷硅玻璃、外层为二氧化硅的三层钝化膜的结构。本技术的有益效果是，由于在二氧化硅层内覆盖了一层磷硅玻璃，大大降低可动电荷的迁移率，同时具有了提取和阻挡可动电荷的能力，使直流放大系数hFE更加稳定。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高稳定性电子三极管，其特征在于钝化膜为里层为二氧化硅、中间层为磷硅玻璃、外层为二氧化硅的三层结构。2.根据权利要求1所述的高稳定性电子...
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