一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机，该光刻机包括：激光光源，近端反射镜，偏振元件组，光刻胶，金属薄膜，玻璃基底，匹配油，棱镜和远端反射镜；激发光源发出的激光束激发光刻胶层前向传播的导模，经金属薄膜与玻璃基底的分界面反射的激光，通过右侧的远端反射镜反射后，再次入射到上述分界面，并激发光刻胶层后向传播的导模；两束导模在光刻胶层相互干涉形成周期场，曝光光刻胶，经显影、定影等后续工艺处理，便可在金属薄膜上实现高宽比、长宽比均较大的大面积亚波长光栅的制备；本实用新型专利技术基于激光激发的导波模式，其损耗小、传输距离长，能实现高宽比、长宽比均较大的亚波长光栅的大面积刻写。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微电子、微纳光子器件制备等微纳加工领域的光刻机
， 特别涉及一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机。
技术介绍
光刻技术是一种精密的微细加工技术。现有的超分辨光刻机技术主要包括离子束、电子束、X射线光刻，扫描探针显微技术，近场光学显微镜技术，纳米压印，表面等离子体干涉光刻技术等。上述主要的光刻手段在实际应用中都有着局限性。其主要存在的问题为1、操作不便。电子束光刻对真空的要求限制了其使用范围，离子束光刻也需要在真空下工作。2、成本高。X射线多是同步辐射加速器所产生的，而诸如电子束光刻技术的设备造价昂贵，维护开销巨大。3、产率低。如基于近场光学显微镜的光刻技术需要精密的近场距离控制系统，扫描速度慢，刻写范围小，操作复杂。同样的问题也存在于电子束、离子束曝光技术。4、稳定性差。传统设备诸如近场光纤探针等容易损坏，要定期更换。电子束也容易对样品造成破坏。纳米压印等利用掩模版的超分辨光刻技术，必须注意掩模板在使用过程中的挤压、受热变形，而且掩模板本身的制作也具有相当大的难度。5、要求苛刻。表面等离子体干涉光刻技术中，由于表面等离子体的穿透深度小，所以要求光刻胶厚度必须很薄，否则本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王向贤，张斗国，陈漪恺，傅强，王沛，明海，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：实用新型
国别省市：