太阳能电池的制造方法和制造装置制造方法及图纸

技术编号:7360200 阅读:186 留言:0更新日期:2012-05-26 14:04
当制造依次叠层p型层、i型层、n型层而构成的太阳能电池时,在使含n型掺杂剂的气体的流量与含硅的气体的流量之比为0.03以下、稀释气体的流量与含硅的气体的流量之比为70以上、原料气体的总压力为200Pa以上的成膜条件下,形成n型微晶硅薄膜作为n型层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池的制造方法和制造装置
技术介绍
已知有使用多晶、微晶或者非晶硅的太阳能电池。特别是,具有叠层有微晶或者非晶硅的薄膜的结构的太阳能电池,基于资源消耗的观点、降低成本的观点和效率化的观点受到关注。一般地,薄膜太阳能电池被形成为在表面为绝缘性的基板上依次叠层第一电极、 1个以上的半导体薄膜光电转换单元和第二电极。各个太阳能电池单元被构成为从光入射侧开始叠层P型层、i型层和η型层。另外,作为提高薄膜太阳能电池的转换效率的方法,已知有沿光入射方向叠层2 种以上的光电转换单元的方法。在薄膜太阳能电池的光入射侧配置包含带隙宽的光电转换层的第一太阳能电池单元,之后配置包含与第一太阳能电池单元相比带隙窄的光电转换层的第二太阳能电池单元。由此,能够在入射光的宽的波长范围进行光电转换,作为装置全体能够实现转换效率的提高。例如已知有使非晶硅(a-Si)太阳能电池单元为顶部单元,使微晶(μ c-Si)太阳能电池单元为底部单元的结构。另外,还公开有非晶太阳能电池单元的制造方法、制造装置中的等离子体电极的间隔等。(专利文献1 3等)。例如在专利文献1公开有使非晶太阳能电池单元的η型层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:松本光弘村田和哉
申请(专利权)人:三洋电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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