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当制造依次叠层p型层、i型层、n型层而构成的太阳能电池时，在使含n型掺杂剂的气体的流量与含硅的气体的流量之比为0.03以下、稀释气体的流量与含硅的气体的流量之比为70以上、原料气体的总压力为200Pa以上的成膜条件下，形成n型微晶硅薄膜作为...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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