极化子模式光开关制造技术

本公开提供了用于频率相关光切换的器件、方法和技术。在一个实施例中，一种器件包括衬底、位于衬底上的第一和第二光场限制结构以及设置在第一和第二光场限制结构之间的量子结构。第一光场限制结构可以包括接收光子的表面。第二光场限制结构可以与第一光场限制结构隔开。第一和第二光场限制结构可以被配置为将光子的光场实质上限制在它们之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
在此所描述的技术一般地涉及光开关，更具体地涉及极化子(polariton)模式光开关。
技术介绍
光开关在多种应用中具有重要的商用价值。例如，在光信息处理和光通信中可以使用多种光开关。
技术实现思路
公开了用于频率相关光切换的器件、方法和技术。在一个实施例中，一种器件包括衬底、位于衬底上的第一和第二光场限制结构以及设置在第一和第二光场限制结构之间的量子结构。第一光场限制结构可以包括接收光子的表面。第二光场限制结构可以与第一光场限制结构隔开。第一和第二光场限制结构可以被配置为将光子的光场实质上限制在它们之间。上述
技术实现思路
仅仅是示例性的，而绝不是限制性的。除了上述示例性方案、实施例和特征之外，参考附图和以下详细说明，其他方案、实施例和特征将变得更加清楚。附图说明图1是光切换器件的示意性实施例的透视图。图2图示了图1所示的光切换器件的两个伸长金属结构之间的电场。图3是具有伸长楔形金属结构的光切换装置的示意性实施例的透视图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.04.30 US 12/432,9671.一种器件，包括：
衬底；
位于衬底上的第一和第二光场限制结构，第一光场限制结构包括
接收光子的表面，第二光场限制结构与第一光场限制结构隔开；和
设置在第一和第二光场限制结构之间的量子结构，
其中，第一和第二光场限制结构被配置为将光子的光场实质上限
制在第一和第二光场限制结构之间。
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述量子结构被配置为根
据接收到的光子的波长，选择性地工作于莫脱绝缘体模式和超流体模
式。
3.根据权利要求1所述的器件，其中第一和第二光场限制结构
中的至少一个与量子结构相接触。
4.根据权利要求1所述的器件，其中第一和第二光场限制结构
中的至少一个与量子结构隔开。
5.根据权利要求1所述的器件，其中第一和第二光场限制结构
隔开等于光子波长或比光子波长小的距离。
6.根据权利要求4所述的器件，其中第一和第二光场限制结构
具有等于四分之一光子波长或比四分之一光子波长小的厚度。
7.根据权利要求1所述的器件，其中第一和第二光场限制结构
是伸长金属结构。
8.根据权利要求7所述的器件，其中所述伸长金属结构是矩形
金属结构。
9.根据权利要求7所述的器件，其中所述伸长金属结构是楔形
金属结构。
10.根据权利要求7所述的器件，其中所述伸长金属结构由从实
质上包括Ag、Al、Au、Ni和Ti的组中选择的至少一种材料制成。
11.根据权利要求1所述的器件，其中第一和第二光场限制结构
是光子晶体。
12.根据权利要求1所述的器件，其中所述量子结构由从实质上
包括II-VI族半导体化合物和III-V族半导体化合物的组中选择的一
种或多种材料制成。
13.根据权利要求1所述的器件，其中所述量子结构由CdxZn1-xS
制成，其中x的值在0...

【专利技术属性】
技术研发人员：安度烈，
申请(专利权)人：首尔市立大学产学协力团，
类型：发明
国别省市：