牺牲波导测试结构制造技术

技术编号:7337611 阅读:143 留言:0更新日期:2012-05-12 07:19
牺牲光学测试结构被构造在预分开的光学芯片(10)的晶片(100)上,用于测试预分开的光学芯片(10)的光学功能。牺牲光学结构在从晶片(100)分开光学芯片(10)时被停用,并且被分开的光学芯片(10)可以用于它们期望的端功能。测试结构可以留在分开的光学芯片(10)上或者它们可以被丢弃。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及光学芯片的测试结构,并且具体地,涉及用于测试仍为晶片形式时的光学芯片的光学功能的牺牲测试结构。
技术介绍
光学芯片(也称为光子集成电路)是适合于对一个或多个光学信号执行各种功能的器件。单独的光学芯片通常通过如下方式来制造在半导体晶片基板上构造多个光学芯片,以及将晶片分成多个单独的光学芯片。通常,光学芯片是在较少考虑或不考虑仍为晶片形式时的芯片之间的关系的情况下而被设计并布置在晶片上的。在许多实例中,期望针对单独光学芯片的所预期的用途或功能来测试各光学芯片。通常在已从晶片分开光学芯片之后执行对单独的光学芯片的测试。但是,分开的光学芯片的测试是耗时的并且费用高。已构思出在单独的光学芯片仍为晶片形式时对其进行测试。例如,美国专利申请公开物No. US2004/0013359讨论了使用光学探针,其在接入点处光学耦合到光学芯片。原理上,这样的测试实现了在制造周期中较早地测试光学芯片。但是,在光学芯片的单独测试中利用光学探针仍需要相当长的对准时间。此外,利用光学探针连同必要的电探针测试光学芯片提供了实施时的实际难度。在一些情况下,可以使用内置于光学芯片的部件来测试该光学芯片的功能。例如, 可以使用要在完成的产品中使用的光电二极管来测试仍为晶片形式时的光学芯片的性能。 然而,典型的光学器件(诸如光学发射器或调制器)产生高功率光学输出,并且片上光电二极管将放置在抽头上。结果,片上光电二极管仅接收小比例的输出光。这种板上光电二极管的使用没有实现对晶片的一整套的光学测试(包括全功率测试)。
技术实现思路
本专利技术提供了一种晶片,从该晶片可以分开多个光学芯片,其中,在该晶片上设置有用于测试光学芯片的光学功能的牺牲测试结构。牺牲测试结构允许同时测试仍为晶片形式时的多个光学芯片,并且牺牲测试结构在从晶片分开光学芯片时被停用。给定光学芯片的牺牲测试结构可以布置在晶片上,使得它们位于一个或多个相邻的光学芯片上,或者使得它们位于晶片的可废弃部分上。本专利技术克服了传统的对准时间问题并且允许在光学芯片为晶片形式时在光学芯片的电路上进行一系列的光学测试。根据本专利技术的一个方面,一种晶片,从该晶片分开多个光学芯片,每个光学芯片被配置成执行相应的光学功能,该晶片包括多个光学芯片当中的第一光学芯片;以及牺牲测试结构,用于测试第一光学芯片或晶片上的邻接光学芯片的光学功能,该牺牲测试结构布置在晶片上,以使得在从晶片分开第一光学芯片时牺牲测试结构的至少一部分与第一光学芯片分离。根据一个实施例,牺牲测试结构的该至少一部分布置在晶片上的该多个光学芯片当中的第二光学芯片上。根据另一实施例,第二光学芯片与第一光学芯片相邻。根据另一实施例,第二光学芯片从第一光学芯片横向偏移。根据另一实施例,牺牲测试结构的至少另一部分布置在晶片上的该多个光学芯片当中的第三光学芯片上。根据另一实施例,第三光学芯片与第一光学芯片相邻。根据另一实施例,第三光学芯片从第一光学芯片横向偏移。根据另一实施例,牺牲测试结构的至少另一部分布置在晶片的可废弃部分上。根据另一实施例,牺牲测试结构的该至少一部分布置在晶片的可废弃部分上。根据另一实施例,牺牲测试结构包括一个或多个波导的至少一部分。根据另一实施例,牺牲测试结构包括至少一个光源。根据另一实施例,光源是激光器或波导光栅中的至少一个。根据另一实施例,牺牲测试结构包括至少一个接收器。根据另一实施例,接收器是光电二极管、光学功率监视器或波长监视器中的至少一个。根据本专利技术的另一方面,一种从晶片分出的光学芯片,从该晶片分出多个光学芯片,光学芯片被配置成执行光学功能,该光学芯片包括用于执行光学功能的电路;以及牺牲测试结构的至少一部分,该牺牲测试结构用于在从晶片分出光学芯片之前测试该光学芯片或邻接光学芯片的电路的光学功能。根据一个实施例,牺牲测试结构包括光源、接收器或波导的分离部分中的至少一个。根据本专利技术的另一方面,一种用于测试和处理晶片上的多个光学芯片当中的第一光学芯片的方法,每个光学芯片被配置成执行相应的光学功能,该方法包括接触牺牲测试结构,该牺牲测试结构用于测试第一光学芯片或晶片上的邻接光学芯片的特性,牺牲测试结构布置在晶片上;控制和监视牺牲测试结构;以及从晶片分开第一光学芯片,以使得在从晶片分开第一光学芯片时牺牲测试结构的至少一部分与第一光学芯片分离。根据一个实施例,牺牲测试结构的该至少一部分布置在晶片上的多个光学芯片当中的第二光学芯片或晶片的可废弃部分中的至少一个上。根据另一实施例,牺牲测试结构包括一个或多个波导的至少一部分。根据另一实施例,牺牲测试结构包括至少一个光源和至少一个接收器。在下文中参照附图更详细地描述本专利技术的前述和其他特征。附图说明图1是根据本专利技术的从晶片分出的单独光学芯片的示意图。图2A是根据本专利技术的具有多个光学芯片的示例性晶片的示意图。图2B是根据本专利技术的示例性晶片上的一列光学芯片的示意图。图2C是根据本专利技术的示例性晶片上的一列光学芯片的示意图。图3是根据本专利技术的具有多个光学芯片的示例性晶片的示意图。图4是根据本专利技术的具有多个光学芯片的示例性晶片的示意图。图5是根据本专利技术的具有多个光学芯片的示例性晶片的示意图。具体实施例方式在以下描述中,类似的部件被给予相同的参考数字,而不管它们是否在不同的实施例中示出。为了以清楚且简明的方式说明本专利技术的实施例,附图不一定是按比例的并且可以以某种示意形式示出某些特征。关于一个实施例所描述和/或示出的特征在一个或多个其他实施例中可以以相同的方式或以相似的方式来使用,和/或与其他实施例的特征组合使用或者取代其他实施例的特征来使用。现在详细地参照附图并且首先参照图1,从晶片分出的单独光学芯片的示意图总体上以10示出。光学芯片10 (以及由其形成光学芯片的晶片)的基板12可以由磷化铟构成。磷化铟在此用作示例性材料,因为它是允许容易地在其上构造和集成一系列光学器件(诸如激光器、光电二极管、耦合器、调制器等)的半导体材料。但是,晶片和芯片基板12也可以由任何其他适当的基板材料(诸如,砷化镓、铟镓砷、铟镓砷磷等)构成。光学芯片10包括设计用于执行光学芯片10的预期功能的电路14。在该示例性实施例中,电路14起马赫-曾德尔(Mach-Zehnder)调制器的作用,并且适合用在例如光学远程通信中。尽管在该上下文中将主要描述电路14的部件,但是应理解,电路14的设计可以是任何其他适当的设计,并且电路14可以执行任何适当的期望功能。在其最广的意义上来说,光学芯片10的特定功能与本专利技术不是密切相关的。光学芯片10当为其分开形式时包括用于将光输入到电路14的输入16以及用于输出来自电路14的光的输出18。输入16经由波导20耦合到电路14,并且输出18经由波导22耦合到电路14。如此处所使用的,波导是用于引导波(在该情况下为光学波(信号)) 的结构。波导可以使用本领域公知的任何方法而形成在光学芯片10上。例如,波导可以通过外延生长和半导体蚀刻的公知方法来制造。马赫-曾德尔调制器电路14的基本结构包括多模干扰(MMI)耦合器M和34。匪I 耦合器对和34具有标准设计并且在本领域已知的现有工艺设计规则内实现。如在该示例性实施例中所使用的,匪I耦合器对和;34是2X2匪I耦合器。匪I耦合器对包括输入沈和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:ND怀特布里德LN朗利AC卡特
申请(专利权)人:ND怀特布里德LN朗利AC卡特
类型:发明
国别省市:

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