一种单相半桥五电平逆变器及其应用电路制造技术

本发明专利技术提供一种单相半桥五电平逆变器及其应用电路，其中单相半桥五电平逆变器包括八个开关管以及八个二极管，不包括现有技术中的箝位二极管和飞跨电容，现有技术中的五电平逆变器不可以去掉箝位二极管是因为这些二极管不但为电流提供通路，而且起到了电容不被短路的作用，而本发明专利技术提供的五电平逆变器利用八个开关管自身反向并联的二极管就可以为电流提供通路，以及保证电容不被短路的作用。这样保证整个逆变器中的半导体器件较少，损耗较小，效率较高，体积也小，进而成本也低。现有技术中的飞跨电容是为了生成多电平，但是由于电容本身成本较高；而本发明专利技术实施例舍弃用电容来生成多电平，成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子
，特别涉及一种单相半桥五电平逆变器及其应用电路。
技术介绍
中压大容量场合，多电平逆变器得到广泛的应用，目前的五电平逆变器主要是二极管箝位型和飞跨电容型结构。下面分别予以介绍。参见图la，该图为现有技术中提供的二极管箝位型的五电平逆变器拓扑图。图Ia所示的是半桥五电平逆变器的拓扑结构。二极管用于为各个开关管进行电压箝位。例如，第一二极管DBl用于将开关管Tl下端的电位箝位于第一电容Cl的下端；第二二极管DB2用于将开关管T5下端的电位箝位于第一电容Cl的下端。其他二极管DB3、 DB4、DB5和DB6类似，在此不再赘述。由于箝位二极管需要阻断多倍电平电压，通常需要多个相同标称值的二极管串联，如图Ib所示，二极管DB21、DB22和DB23串联相当于图Ia中的二极管DB2。DB2UDB22 和DB23这三个二极管串联起来共同承受图Ia中DB2承受的电压。由于二极管的分散性以及杂散参数的影响，标称值相同的二极管所能承受的压力也有所差别，这样串联起来可能引起有的二极管两端过电压。因此，需要均压措施和很大的RC吸收电路，但是这样将导致系统体积庞大，成本增加。因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洪亮，曹仁贤，倪华，傅立秦，
申请(专利权)人：阳光电源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：