一种反应腔漏气检测方法及真空反应器控制方法技术

一种反应腔漏气检测方法及真空反应器控制方法，为了实现对真空反应器的反应腔进行实时准确的漏气状况检测，同时保证检测步骤不影响产能。本发明专利技术提出了新的检测方法：在反应腔内完成对待加工基片的加工后移除待加工基片，进入清洗流程。在清洗流程中通入氧气点燃等离子，通过光学观测器件来分析氧等离子产生的光谱中是否有代表氮气的频谱。如果有代表氮气的频谱强度大于设定值则判断反应腔存在泄露，停止真空反应器运行；没有检测到代表氮气的光谱大于设定参考值时进入下一步的加工步骤。通过本方法可以利用现有的加工流程和设备实现实时的漏气检测保证了产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及一种等离子处理设备的气体泄漏检测方法。
技术介绍
现代半导体加工设备经常用到等离子体对基片进行加工，通常要将设备内的反应腔抽成真空或者在极低气压下通入反应气体，再对半导体或其它材料构成的基片进行加工。半导体加工设备包括化学气相沉积(CVD)，刻蚀，等离子辅助化学气相沉积(PECVD)等。 在这些处理过程中需要保证反应过程精确的控制，因为任何不可控因素的引入都会导致处理得到的基片产生缺陷，甚至重大的缺陷。半导体加工设备的反应腔漏气就是需要严格防止的情况之一，因为空气中的N2，02，水汽及其它气体泄漏到反应腔内都会对反应腔的反应过程和氛围造成重大影响。最终造成加工基片的缺陷。所以需要在基片处理流程上对空气泄漏故障进行检测和处理。一般的真空反应腔检漏方法需要先将反应腔抽至低气压，然后用压强计 (manometer)测量压强随时间变化而计算出漏率。这种方法需要占用很长的时间，从而影响产能，另外这种方法不能在生产过程中实时的监控有无泄漏发生。现有技术如US57897M揭露了利用在反应腔中点燃等离子体，然后利用光学感应器来检测等离子体中的光谱，发现光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任刚，黄智林，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：