半导体绿激光扩束装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种教学用新型半导体绿激光扩束装置，其主要技术特征是在塑料外壳内装一个半导体绿激光光源，在光源的前端安装一个圆形玻璃柱，在玻璃柱前端塑料外壳上开一圆孔。在塑料外壳上面安装一个开关控制旋钮，开关控制旋钮正对半导体绿激光光源的开关，在塑料外壳下面磁铁嵌槽内安装强磁铁。调节开关控制旋钮，由半导体绿激光光源发出绿激光，绿激光光线经过在光源的前端装圆形玻璃柱扩束，再由玻璃柱前端开孔射出。由塑料外壳下面强磁铁把塑料外壳吸附在黑板或其它光学仪器上。本发明专利技术由于绿激光光线强，教学效果好，克服了红激光的弱点，并结构简单，使用方便，它是一种理想的单色教学光源。

【技术实现步骤摘要】
半导体绿激光扩束装置本专利技术涉及一种教学用新型半导体绿激光扩束装置。目前，公知的教学用激光光源为红激光，而红激光光线强度弱，效果差为了克服现有的红激光光线强度弱，效果差的问题，本专利技术涉及一种教学用新型半导体绿激光扩束装置。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是在塑料外壳内安装一个半导体绿激光光源，在光源的前端安装一个圆形玻璃柱，圆形玻璃柱与半导体绿激光光源垂直.在玻璃柱前端塑料外壳上开一圆孔，圆孔与圆形玻璃柱、半导体绿激光光源射出光口在同一直线上，使激光光线射出.在塑料外壳上面安装一个开关控制旋钮，使开关控制旋钮正对半导体绿激光光源的开关，在塑料外壳下面强磁铁嵌槽内安装强磁铁。这样调节开关控制旋钮，由半导体绿激光光源发出绿激光，绿激光经过在光源前端按装的圆形玻璃柱扩束，再由玻璃柱前端开孔射出。由塑料外壳下面强磁铁嵌槽内安装的磁铁把塑料外壳吸附在黑板或其它光学仪器上。本专利技术的有益效果是由于绿激光光线强度强，教学效果好，克服了红激光的弱点。本专利技术结构简单，使用方便，它是一种理想的单色教学光源。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术的实施例的纵剖面构造图。图中1.塑料外壳，2.半导体绿激光光源，3.半导体绿激光光源开关，4.开关控制旋钮，5.半导体绿激光光线射光口，6.圆形玻璃柱，7.出光孔，8.强磁铁嵌槽，9.强磁铁。具体实施例方式在图1中，塑料外壳⑴内装一个半导体绿激光光源(2)，开关控制旋钮(4)正对半导体绿激光的开关(3)，圆形玻璃柱(6)紧贴近半导体绿激光光源射光口(5)，圆形玻璃柱(6)与半导体绿激光光源(2)垂直，出光孔(7)与圆形玻璃柱(6)、半导体绿激光光线射光口(5)在同一直线上，强磁铁(9)嵌在塑料外壳(1)下面强磁铁嵌槽(8)中。通过调节开关控制旋钮(4)，使开关控制旋钮(4)压在半导体绿激光的开关(3) 上，半导体绿激光光源(2)就发出绿激光经射光口(5)射出，经射光孔(5)射出的绿激光光线射到圆形玻璃柱(6)上，经圆形玻璃柱(6)扩束后的光线经出光孔(7)射出。通过塑料外壳(1)下面强磁铁嵌槽(8)安装的强磁铁(9)，使塑料外壳(1)吸附在黑板或其它光学仪器权利要求1.一种教学用新型半导体绿激光扩束装置，其主要技术特征是在塑料外壳内装一个半导体绿激光光源.在绿激光光源的前端安装一个圆形玻璃柱，圆形玻璃柱与半导体绿激光光源垂直.在玻璃柱前端塑料外壳上开一圆孔，圆孔与圆形玻璃柱半导体绿激光光源的射出光口在同一直线上.在塑料外壳上面安装一个开关控制旋钮，开关控制旋钮正对半导体绿激光光源的开关.在塑料外壳下面磁铁嵌槽内安装强磁铁。2.根据权利要求1所述的新型半导体绿激光扩束装置，其技术特征是在塑料外壳内装一个半导体绿激光光源。3.根据权利要求1所述的新型半导体绿激光扩束装置，其技术特征是在绿激光光源的前端安装一个圆形玻璃柱，圆形玻璃柱与半导体绿激光光源垂直。4.根据权利要求1所述的新型半导体绿激光扩束装置，其技术特征是在玻璃柱前端塑料外壳上开一圆孔，圆孔与圆形玻璃柱、半导体绿激光光源的射出光口在同一直线上。5.根据权利要求1所述的新型半导体绿激光扩束装置，其技术特征是在塑料外壳上面安装一个开关控制旋钮，开关控制旋钮正对半导体绿激光光源的开关。6.根据权利要求1所述的新型半导体绿激光扩束装置，其技术特征是在塑料外壳下面磁铁嵌槽内安装强磁铁。全文摘要本专利技术涉及一种教学用新型半导体绿激光扩束装置，其主要技术特征是在塑料外壳内装一个半导体绿激光光源，在光源的前端安装一个圆形玻璃柱，在玻璃柱前端塑料外壳上开一圆孔。在塑料外壳上面安装一个开关控制旋钮，开关控制旋钮正对半导体绿激光光源的开关，在塑料外壳下面磁铁嵌槽内安装强磁铁。调节开关控制旋钮，由半导体绿激光光源发出绿激光，绿激光光线经过在光源的前端装圆形玻璃柱扩束，再由玻璃柱前端开孔射出。由塑料外壳下面强磁铁把塑料外壳吸附在黑板或其它光学仪器上。本专利技术由于绿激光光线强，教学效果好，克服了红激光的弱点，并结构简单，使用方便，它是一种理想的单色教学光源。文档编号G09B23/22GK102402889SQ20111011568公开日2012年4月4日 申请日期2011年4月24日 优先权日2011年4月24日专利技术者张津 申请人:张津本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张津，
申请(专利权)人：张津，
类型：发明
国别省市：