一种IGBT模块和双层铜排电连接结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，包括IGBT模块(1)、上层铜排(2)和下层铜排(3)，IGBT模块(1)安装在上层铜排(2)或者下层铜排(3)上并与上层铜排(2)和下层铜排(3)电连接起来，上层铜排(2)和下层铜排(3)中间设有夹层绝缘层(4)，上层铜排(2)、下层铜排(3)和夹层绝缘层(4)是连接成一整体单元模块，该结构简单，安装容易，工序少，装配生产效率高。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，属于电动汽车控制器领域。技术背景传统的IGBT模块和双层铜排电连接结构，包括IGBT模块、上层铜排和下层铜排， IGBT模块安装在下层铜排上并与上层铜排和下层铜排电连接起来，上层铜排和下层铜排中间设有绝缘层，上层铜排、下层铜排和绝缘层三层是独立分开的，该结构安装麻烦，工序多， 效率低，铜排杂感大，峰值电流大，容易造成爬电距离不足，销毁IGBT模块。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，它结构简单，安装容易，工序少，生产效率高。本技术的目的是通过以下的技术方案予以实现的。一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，包括IGBT模块、上层铜排和下层铜排， IGBT模块安装在上层铜排或者下层铜排上并与上层铜排和下层铜排电连接起来，上层铜排和下层铜排中间设有夹层绝缘层，上层铜排、下层铜排和夹层绝缘层是连接成一整体单元模块。上述所述的夹层绝缘层包括两层结构相同的绝缘板，绝缘板上开设有若干夹层通孔。上述所述的在IGBT模块与上层铜排或者下层铜排之间增设有下绝缘层，下绝缘层上设有下通孔，IGBT模块上安装脚嵌入下通孔中。上述所述的与IGBT模块间隔较远的一块铜排上增设有上绝缘层，上绝缘层设有上通孑L。上述所述的在上绝缘层上安装有电容垫板，电容安装在电容垫板上。上述所述的上层铜排、下层铜排、夹层绝缘层、下绝缘层和上绝缘层是用胶水粘接成整体。本技术与现有技术相比的有益效果是1)本技术上层铜排、下层铜排和夹层绝缘层是连接成一整体单元模块，该结构简单，使IGBT模块和铜排安装更容易，减少工序，提高生产效率；2)夹层绝缘层包括两层结构相同的绝缘板，减少物料品种，节约成本，绝缘性能更好；3)在IGBT模块与上层铜排或者下层铜排之间增设有下绝缘层，与IGBT 模块间隔较远的一块铜排上增设有上绝缘层，防止异物跌落铜排上，造成上、下层铜排直接连通；4)上层铜排、下层铜排、夹层绝缘层、下绝缘层和上绝缘层是用胶水粘接成整体，结构设计合理，简化安装工序，提高效率。附图说明3图1是本技术的立体图；图2是本技术的结构示意图；图3是图2的A-A部分剖视图；图4是图3的B-B局部放大图；图5是本技术铜排和绝缘层立体图；图6是本技术铜排和绝缘层分解图。具体实施方式下面通过具体实施例并结合附图对本技术作进一步详细的描述。如图1、图2、图3、图4、图5和图6所示，本技术的一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，包括IGBT模块1、上层铜排2和下层铜排3，IGBT模块1安装在上层铜排2或者下层铜排3上并与上层铜排2和下层铜排3电连接起来，上层铜排2和下层铜排3中间设有夹层绝缘层4，上层铜排2、下层铜排3和夹层绝缘层4是连接成一整体单元模块；所述的夹层绝缘层4包括两层结构相同的绝缘板，绝缘板上开设有若干夹层通孔41 ；在IGBT 模块1与上层铜排2或者下层铜排3之间增设有下绝缘层5，下绝缘层5上设有下通孔51， IGBT模块1上安装脚11嵌入下通孔51中；与IGBT模块1间隔较远的一块铜排上增设有上绝缘层6，上绝缘层6设有上通孔61 ；在上绝缘层6上安装有电容垫板7，电容8安装在电容垫板7上；上层铜排2、下层铜排3、夹层绝缘层4、下绝缘层5和上绝缘层6是用胶水粘接成整体。本技术的上层铜排、下层铜排和夹层绝缘层是连接成一整体单元模块，该结构简单，使IGBT模块和铜排安装更容易，减少工序，提高生产效率。权利要求1.一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，包括IGBT模块(1)、上层铜排(2)和下层铜排( ，IGBT模块(1)安装在上层铜排( 或者下层铜排( 上并与上层铜排( 和下层铜排( 电连接起来，上层铜排( 和下层铜排( 中间设有夹层绝缘层G)，其特征在于 上层铜排O)、下层铜排( 和夹层绝缘层(4)是连接成一整体单元模块。2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，其特征在于所述的夹层绝缘层(4)包括两层结构相同的绝缘板，绝缘板上开设有若干夹层通孔01)。3.根据权利要求1所述的一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，其特征在于在IGBT 模块(1)与上层铜排( 或者下层铜排( 之间增设有下绝缘层(5)，下绝缘层( 上设有下通孔(51)，IGBT模块⑴上安装脚(11)嵌入下通孔(51)中。4.根据权利要求3所述的一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，其特征在于与IGBT 模块(1)间隔较远的一块铜排上增设有上绝缘层(6)，上绝缘层(6)设有上通孔(61)。5.根据权利要求4所述的一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，其特征在于在上绝缘层(6)上安装有电容垫板(7)，电容⑶安装在电容垫板(7)上。6.根据权利要求4所述的一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，其特征在于上层铜排(2)、下层铜排( 、夹层绝缘层(4)、下绝缘层( 和上绝缘层(6)是用胶水粘接成整体。专利摘要本技术公开了一种IGBT模块和双层铜排电连接结构，包括IGBT模块(1)、上层铜排(2)和下层铜排(3)，IGBT模块(1)安装在上层铜排(2)或者下层铜排(3)上并与上层铜排(2)和下层铜排(3)电连接起来，上层铜排(2)和下层铜排(3)中间设有夹层绝缘层(4)，上层铜排(2)、下层铜排(3)和夹层绝缘层(4)是连接成一整体单元模块，该结构简单，安装容易，工序少，装配生产效率高。文档编号H01L25/07GK202172066SQ20112027757公开日2012年3月21日 申请日期2011年8月2日 优先权日2011年8月2日专利技术者刘科, 向同兴, 易勇, 杨海鹏 申请人:大洋电机新动力科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘科，易勇，向同兴，杨海鹏，
申请(专利权)人：大洋电机新动力科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：