用于离子注入的可调整偏折光学组件制造技术

一种适用于离子注入系统的偏折构件（２３６）包含：多个电极（２３６ａ，２３６ｂ），其可选择性偏压以致使通过其的离子束弯曲、偏折、聚焦、会聚、发散、加速、减速及／或去污染。由于这些电极为可选择性偏压，且因此其中一个或多个是可维持未偏压或断电，束路径的有效长度是可如所期望而选择性调整（例如：基于诸如能量、剂量、物种等等的束性质）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及离子注入系统，且更特别是关于离子注入系统的偏折光学组件。
技术介绍
离子注入器因为允许相对于注入至工件的掺杂剂的量或浓度，以及相对于工件内的掺杂剂的置放的精密度而为有利。特别是，离子注入器允许注入离子的剂量与能量相对于既定的应用而改变。离子剂量控制注入离子的浓度，其中，高电流的注入器典型为用于高剂量注入，以及中电流的注入器用于较低剂量注入。使用离子能量以控制离子注入至半导体工件的接面深度或深度。可以理解的是已知的电子产业的趋势为将电子装置的尺度缩小以产生更小且效用更强大的装置(例如手机、数码相机等等)，这些装置所利用的半导体与集成电路(例如晶体管等等)是持续的尺寸的缩小。将较多的这些装置“封装”至单一的半导体基板或其部分的(习称为晶片)能力亦改良制造效率与生产量。可以理解的是降低离子束的能量是可允许注入为执行至较浅的深度以产生较薄的装置且增强封装密度。亦可以理解的是 增大的较浅注入的剂量是可利于期望的导电率，且较低能量的离子束的束电流是必须增大以利于增大封装密度。对于其他情形，使用较高能量束可理想的以选择性注入离子相当深入至基板，藉以创造具有变化的半导性质的容积(例本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种离子注入系统，包含：离子束源，构成以产生离子束；质量分析器，用于对所产生的离子束质量分析；偏折构件，位于该质量分析器的下游且具有与其关联的偏折区域，用于偏折在质量分析后的离子束；及末端站，位于该偏折构件的下游且构成以支撑将由该离子束的离子所注入的工件；其中，配置该偏折构件以改变该偏折区域的长度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克·格拉夫，
申请(专利权)人：艾克塞利斯科技公司，
类型：发明
国别省市：US