太阳能电池及其制造方法技术

技术编号:7145800 阅读:177 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种金属穿孔卷绕式太阳能电池及其制造方法,所述太阳能电池包含作为背板接触硅太阳能电池的金属穿孔卷绕式(MWT)结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及,特别是涉及金属穿孔卷绕式太阳能电池及 其制造方法,所述金属穿孔卷绕式太阳能电池包含一种作为背接触硅太阳能电池的金属穿 孔卷绕式(metal wrap through,MWT)结构。更具体而言,本专利技术涉及一种能够通过在太阳 能电池的正表面上仅留下金属指状线并通过穿透半导体基板而在该半导体基板的背表面 上安装金属电极来增加太阳能电池的效率的,所述太阳能电池可 代替现有
的在太阳能电池的正表面上形成总线电极的太阳能电池。
技术介绍
近年来,由于诸如油价升高、全球变暖、化石能源的耗尽、核废料处理和涉及新电 厂建设的位置选择等问题,新形式的可再生能源备受关注。尤其是,对于作为无污染能源的 太阳能电池的研究和开发已经在积极地进行。作为一种利用光伏效应将光能转化为电能的装置,太阳能电池根据构成材料被分 为硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、染料敏化太阳能电池和有机聚合物太阳能电池等。太阳 能电池被独立地用作电子钟表、收音机、无人值守灯塔、人造卫星和火箭等的主要电源以及 通过与市用交流电源相连而用作备用电源。近来,由于对替代能源的需求的增加,太阳能电 池得到越来越多的关注。使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池,所述太阳能电池包含:半导体基板;形成于所述半导体基板的正表面和侧表面上的发射极层;形成于所述半导体基板的背表面上的钝化层;通过所述钝化层与所述半导体基板相接触的背电极;至少一个背场(BSF)层,所述背场层形成于所述背电极与所述半导体基板相接触的区域;和金属电极,所述金属电极包含:形成于所述半导体基板的正表面上的指状部分;贯穿所述发射极层、所述半导体基板和所述钝化层的贯穿部分;和与所述背场层有间隔并形成在所述半导体基板的背表面上的总线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:金钟焕
申请(专利权)人:LG电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR

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