【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光电转换装置,特别是涉及通过成膜形成发电层的薄膜系太阳电池。
技术介绍
作为将太阳光的能量转换成电能的太阳电池所使用的光电转换装置,周知具备光 电转换层的薄膜硅系光电转换装置,该光电转换层是通过等离子体CVD法等制成ρ型硅系 半导体(P层)、i型硅系半导体(i层)及η型硅系半导体(η层)的薄膜而形成的。作为提高薄膜硅系太阳电池的转换效率的方法,可举出通过在太阳光入射侧的透 明电极层、或背面侧的金属层表面设置纹理结构(凹凸表面)而提高薄膜硅系太阳电池的 光电转换层的光电转换效率的方法。在透明电极层或金属层存在纹理结构时,入射光被散 射而光路长度变长,被光电转换层吸收的光的光量增加,因此光电转换效率提高。专利文献1中,公开了下述结构的带透明导电性氧化物膜的基体在玻璃基板上 具有不连续的多个山部形成的巨大纹理和埋入该山部之间的多个平坦部,山部及平坦部的 该表面具有微小的大量的纹理。特别是记载了优选山部间的间距为0. 7 1. 2 μ m、山部的 高度为0. 2 2. Ομπι。此外,还周知采用除了提高薄膜硅材料(非晶质硅、非晶质硅锗、微晶硅等)的膜 的 ...
【技术保护点】
1.一种光电转换装置,其特征在于,在基板上至少具备透明电极层、光电转换层和背面电极层,所述透明电极层的设有所述光电转换层一侧的表面具备由山部和在该山部的表面设置的微小凹凸部构成的凹凸结构,所述透明电极层的所述凹凸结构的间距为1.2μm以上且1.6μm以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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