太阳能电池单元的制造方法技术

包括：第１工序，在第１导电类型的多晶硅衬底的一面侧通过等离子体ＣＶＤ法来形成由氮化硅膜构成的钝化膜；第２工序，在所述多晶硅衬底的另一面侧通过热扩散来使第２导电类型的元素扩散，形成扩散层，形成ｐｎ结部；第３工序，在所述扩散层上通过等离子体ＣＶＤ法来形成由氮化硅膜构成的防反射膜；第４工序，在所述多晶硅衬底的另一面侧配置第１电极膏；第５工序，在所述钝化膜上配置第２电极膏；以及第６工序，焙烧所述第１电极膏以及所述第２电极膏来形成电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，特别是涉及一种对作为太阳能电池衬底的多晶硅衬底的背面进行钝化(惰性化)的。
技术介绍
在太阳能电池的高效化中，需要抑制载流子的复合。当前，市场上常见的结晶系硅太阳能电池的大部分是如下在太阳能电池的衬底的背面设置导电类型与该衬底的导电类型相同的高浓度扩散层，通过根据该结的内置电位来从衬底的背面排除少数载流子，从而抑制衬底的背面中的复合。将该衬底背面的高浓度扩散层称作BSF(BackSurface Filed 背场)层。在一般的硅太阳能电池中，使用了 ρ型衬底和在该P型衬底的背面扩散了铝(Al) 的BSF层这样的组合。即，在一般的硅太阳能电池中，通过将铝(Al)膏印刷/焙烧在衬底背面来形成背面电极并且在衬底背面扩散铝(Al)来形成BSF(下面，记述为A1-BSF)层。然而，近年来随着市场规模的扩大，造成太阳能电池用的硅材料缺乏这样的状况， 制造商各公司努力实现太阳能电池的薄型化。但是，硅(Si)和Al-Si合金(A1-BSF层)的热膨胀率不同，因此随着硅衬底变薄，太阳能电池单元的翘曲变大，对之后的组件制作工序带来影响。即，对于薄型的硅衬底，极不适合使用Al-BSF本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，包括：第１工序，在第１导电类型的多晶硅衬底的一面侧通过等离子体ＣＶＤ法来形成由氮化硅膜构成的钝化膜；第２工序，在所述多晶硅衬底的另一面侧通过热扩散使第２导电类型的元素扩散而形成扩散层，形成ｐｎ结部；第３工序，在所述扩散层上通过等离子体ＣＶＤ法来形成由氮化硅膜构成的防反射膜；第４工序，在所述多晶硅衬底的另一面侧配置第１电极膏；第５工序，在所述钝化膜上配置第２电极膏；以及第６工序，焙烧所述第１电极膏以及所述第２电极膏来形成电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：西本阳一郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP