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包括：第１工序，在第１导电类型的多晶硅衬底的一面侧通过等离子体ＣＶＤ法来形成由氮化硅膜构成的钝化膜；第２工序，在所述多晶硅衬底的另一面侧通过热扩散来使第２导电类型的元素扩散，形成扩散层，形成ｐｎ结部；第３工序，在所述扩散层上通过等离子体ＣＶ...
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