用于ＣＴ应用中的Ｇｄ２Ｏ２Ｓ材料制造技术

本发明专利技术涉及用于ＣＴ应用中的Ｇｄ２Ｏ２Ｓ材料。具体地说，本发明专利技术涉及Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｎｄ荧光材料以及Ｎｄ３＋在合适的材料中作为发射体的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及尤其是用于CT和/或χ-射线应用中的包含荧光钆的粉末。本专利技术还涉及使用单轴热压制备荧光陶瓷的方法。本专利技术还涉及用于检测电离辐射的检测器。本专利技术还涉及所述检测器用于检测电离辐射的用途。
技术介绍
用于检测高能辐射的荧光元件包括能吸收辐射并将其转化为可见光的荧光材料。 由此产生的发光是电子器件要求的，并借助于光敏系统如光电二极管或光电倍增管进行评 价。所述荧光元件可以由单晶材料，如掺杂的碱金属卤化物制备。非单晶材料可以用作粉 末化的荧光材料或以由其制备的陶瓷元件的形式采用。用于检测高能辐射的典型的荧光陶瓷材料是Pr-掺杂的Gd2AS。另一材料是Eu-掺 杂的(Y，GcD2O3"尽管在现有领域中所用的材料具有一些优点，但是对于可用作CT和/或X-射线 应用中的荧光材料的其它替代材料仍不断有需求。
技术实现思路
本专利技术的第一目的是提供用于CT和/或X-射线应用中的闪烁材料。所述目的通过如本专利技术权利要求1所述的荧光材料而实现。相应地，提供了 Gd2O2SiNd荧光材料。所述目的通过在一种或多种如下材料中使用Nd作为发射体而进一步得以实现 Gd2O2Sλ (Y，G本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｎｄ荧光材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·R·龙达，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL