在从多液态前体沉积的多孔低ｋ薄膜和阻障层间提升黏着性的方法技术

在此提出处理基板的方法，其中第一有机硅前体、第二有机硅前体、成孔剂和氧源供应至处理腔室。第一有机硅前体包含整体而言碳含量较低的化合物。第二有机硅前体包含碳含量较高的化合物。成孔剂包含碳氢化合物。施加ＲＦ功率以沉积膜层至基板上，并调整各种反应物气流的流速以改变部分沉积膜的碳含量。在一实施例中，沉积膜的起始部分具低碳含量，因而类似氧化物，后继部分则具高碳含量，而类似碳氧化物。另一实施例的特征在于没有类似氧化物的起始部分。后续处理将于膜的高碳含量部分内产生细孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体上是关于集成电路制造。更明确而言，本专利技术的实施例是关 于沉积用于集成电路的低介电常数膜的工艺。
技术介绍
自从数十年前集成电路问世以来，此类装置的尺寸已大幅缩小。集成电路一般依 循每两年尺寸减半的规则(通常称为摩尔定律(Moore's Law))，其意指芯片上的组件数量 每两年即增加一倍。目前的生产设施惯常制造特征尺寸为90纳米(nm)、甚至65nm的组件， 很快地，未来设施将制造更小特征尺寸的组件。随着组件几何尺寸不断缩小，以致需要使用更低介电常数(k)的薄膜，才能降低 相邻金属线之间的电容耦合效应及进一步缩小集成电路上的组件尺寸。特别是希望绝缘体 的介电常数能小于约4. 0。具有低介电常数的绝缘体例子包括旋涂玻璃、掺杂氟的硅玻璃 (FSG)、掺杂碳的氧化物和聚四氟乙烯(PTFE)，其皆为商业上可取得。近来已发展出介电常数小于约3. 0、甚至小于约2. 5的低介电常数有机硅膜。一 种用来形成低介电常数有机硅膜的方法为，使用包含有机硅化合物和包含热不稳定物种 (thermally labile species)或挥发性基团的化合物所构成的气体混合物来沉积薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理基板的方法，其至少包含：　　将该基板放到处理腔室内的支撑件上；　　以第一流速提供第一有机硅前体至该腔室；　　以第二流速提供第二有机硅前体至该腔室；　　以第三流速提供碳氢化合物混合物至该腔室；　　以第四流速提供氧化剂至该腔室；　　改变该第二有机硅前体的该第二流速至更高流速；　　改变该氧化剂的该流速至更高流速；以及　　在处理该基板时的至少一部分时间内，引导该碳氢化合物混合物改道绕过（ｂｙｐａｓｓ）该腔室。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·陈，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US