【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池的制造方法以及制造装置，具体而言，涉及能够以低成本 迅速地检测并修复结构缺陷的太阳能电池的制造方法以及制造装置。本申请基于2008年8月15日申请的特愿2008-209209号主张优先权，在此援用 其内容。
技术介绍
从有效利用能量的观点来看，近年来，太阳能电池正越来越被广泛而普遍地利用。 特别是利用硅单晶的太阳能电池，其每单位面积的能量转换效率优异。但是，另一方面，由 于利用硅单晶的太阳能电池使用将硅单晶结晶块切割后的硅片，而结晶块的制造需要耗费 大量能量，制造成本高。特别是实现在室外等设置的大面积的太阳能电池时，如果利用硅单 晶制造太阳能电池，目前来说是相当花费成本的。因此，利用可更廉价制造的非晶(非晶 质)硅薄膜的太阳能电池，作为低成本的太阳能电池正在普及。非晶硅太阳能电池使用被称为pin结的层结构的半导体膜，该半导体膜是通过ρ 型和η型的硅膜将接收光时产生电子和空穴的非晶硅膜(i型)夹住的层结构。在该半导 体膜的两面上，分别形成有电极。由太阳光产生的电子和空穴，因P型与η型半导体的电位 差而活跃地移动，通过这样连续地反复，在两面的...
【技术保护点】
一种太阳能电池的制造方法，其特征在于， 形成光电转换体，所述光电转换体具有通过划痕线被分区的多个分区单元，彼此相邻的所述分区单元之间被电连接； 检测所述分区单元上存在的结构缺陷； 通过以规定的分辨率对包含所述结构缺陷和所述划痕线的区域进行拍摄，从而得到图像； 在所述图像上，确定出相当于彼此相邻的所述划痕线之间的间隔或所述划痕线的宽度的第一像素数； 参考表示预先存储的彼此相邻的所述划痕线之间的间隔或预先存储的所述划痕线的宽度的实测值； 对所述第一像素数与所述实测值进行比较，计算出所述图像上的每一像素的实际尺寸； 在所述图像上，确定出相当于所述结构缺陷与所述划痕线...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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